晶体管及其放大电路资料.ppt

二、用万用表粗测晶体管性能 二、用万用表粗测晶体管性能 二、用万用表粗测晶体管性能 计算得此时该电路的电压放大倍数Au＝4.55，该值较小主要是因为三极管射极接入了一个200欧姆的电阻RE1。 按照该电路参数进行理论计算：rbe≈2.5kΩ，Au≈4.51。该值与实际测试值基本相符，造成偏差的主要原因为理论计算时使用的元件标称值与实际值不同。 本章小结 ⒈半导体晶体管是由两个PN结构成的，有三个电极，它在满足发射结正偏和集电结反偏的条件时，它具有电流放大作用。其实质是用基极电流iB控制集电极电流iC，即iC=βiB，iE=iC+iB。 ⒉晶体管的输入特性类似二极管，输出特性曲线分为截止区、放大区、饱和区和击穿区。晶体管有放大、饱和与截止三种工作状态。晶体管的特性受温度的影响较大。 ⒊放大体现了信号对能量的控制作用。放大电路输出信号的能量是由电源提供的。 ⒋放大电路的组成应遵循四条基本原则。要保证晶体管能正常工作，既要有合适的静态工作点，又要使变化的信号能输入、能放大、能输出且基本不失真。 本章小结 ⒌放大电路存在两种状态：未输入信号时的静态和输入信号时的动态。静态值在特性曲线上对应的点为静态工作点。动态时交流信号迭加在静态值上，其动态工作点沿交流负载线运动，但不能超出晶体管的放大区，否则会产明显的非线性失真。 ⒍对放大电路的定量分析，一是确定静态工作点，二是求出动态时的性能指标。分析方法有图解法和近似估算法。这两种方法各有优缺点和一定的适用范围。 ⒎晶体管放大电路有共射、共集和共基三种组态，下面将其特点列于下表中以资比较。 ⒏分压式工作点稳定电路可以克服温度和其他因素对工作点的影响，提高电路的稳定性。 ⒐放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是晶体管极间电容和分布电容的影响，在低频区下降的主要原因是耦合电容和射极旁路电容的影响。其中，射极旁路电容对下限截止频率fL的影响是最主要的。电压放大倍数与频率的关系从一个侧面描述了放大器的频率特性，它分为幅频特性和相频特性。 10.场效应管是一种利用外加电压产生的电场改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的半导体器件，它有结型和绝缘栅型两种。前者利用耗尽层的宽度来改变导电沟道的宽窄，后者则利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少来改变导电沟道的宽窄。 11.场效应管是单极型的电压控制器件，它有共源、共漏和共栅三种组态，要注意不同的偏置电路适用于不同类型的场效应管。 2.10.4 分立元件放大电路制作示例 2.10.4 分立元件放大电路制作示例 图2.10.6 印制板图 图2.10.7 装配图 2.10.4 分立元件放大电路制作示例 图2.10.8 实物照片 2.10.4 分立元件放大电路制作示例 实测数据： 焊接前已测三极管的β＝125。 测得电源电压Vcc＝11.93V。 调整电位器RP，测得三极管的UB＝3.88V，UE＝3.23V，UC＝9.01V。计算得UBE＝0.65V，UCE＝5.78V。 估算得IC≈1.46mA，IB≈11.7μA。 2.10.4 分立元件放大电路制作示例 此时输入一正弦波信号，频率f＝1000Hz，峰峰值UiP-P＝132mV，数字示波器上的显示如下图所示。 2.10.4 分立元件放大电路制作示例 还是使用示波器测量输出信号，结果为UoP-P＝600mV，如下图所示。 四、光电耦合 级与级之间通过光电耦合器相连接的方式，称为光电耦合。由光敏三极管作为接收管的光电耦合器和由光敏二极管作为接收端的光电耦合器如下图所示。 光耦合器还有达林顿型、高速型、双向晶闸管型、集成电路光耦合器等。 由于它是通过电-光-电的转换来实现级间的耦合，优点：①各级的直流工作点相互独立。②采用光电耦合，可以提高电路的抗干扰能力。 2.8.2 多级放大电路性能参数的估算 单级放大器的某些性能指标可作为分析多级放大器的依据。多级放大器的主要性能指标采用以下方法估算。 一、电压放大倍数 由于前级的输出电压就是后级的输入电压，因此，多级放大器的电压放大倍数等于各级放大倍数之积，对于n级放大电路， 注意：在计算末级以外各级的电压放大倍数时，应将后级的输入电阻作为前级的负载。 二、输入电阻 多级放大器的输入电阻Ri就是第一级的输入电阻Ri1，即