第1章、半导体器件祥解.ppt

1.4.3 绝缘栅型场效应晶体管的主要参数 (1)栅—源直流输入电阻RGS (2)栅一源击穿电压UGS(BR) (3)最大漏极电流IDM和最大耗散功率PDM (4)低频跨导gm IB b e c N N P VB RB VCC IE ICBO ICN IC=ICN+ICBO ?ICN IBN IE=IBN +IEP +ICN=IB+ IC IEP IB=IBN+IEP- ICBO = IB’ - ICBO ? IBN+IEP 4 ICN与IB’之比称为共射直流电流放大倍数 ICEO为穿透电流。物理意义是，当基极开路（ IB=0）时，在集电极电源VCC作用下集电极和发射极之间形成的电流。 ICBO为发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 整理得： IC=βIB+（1+β）ICBO =βIB +ICEO β为共射直流电流放大倍数。 所以，IC≈β IB ， IE≈ （1+β） IB 。 若有输入交流电压信号△UI作用，则晶体管的基极电流在IB基础上叠加动态电流△ iB，集电极电流在IC基础上叠加动态电流△ iC， △ iC与△ iB之比为交流放大系数β。 若以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流，则定义ICN与IE之比为共基直流电流放大系数。 共基交流电流放大系数： b e c iB iE iC NPN型三极管 b e c iB iE iC PNP型三极管 VcVbVe VcVbVe 例： 分别判断图中所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 例：已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 NPN管 b e c PNP管 c b e 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB VCC VBB UBE是发射结压降 UCE是管压降 （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.6 0.8 UCE=0 N P N b e c （1）输入特性 iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.6 0.8 UCE=0 0.5v N P N b e c （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.6 0.8 UCE?1V UCE=0 0.5v N P N b e c （1）输入特性 开启电压UON，硅管0.5V, 锗管0.1V。 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.6 0.8 UCE?1V 工作压降： 硅管UBE?0.7V,锗管UBE?0.2V。 UCE=0 0.5v N P N b e c （2）输出特性 iC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) IB=0 IB1 IB2 IB3 IB4 IB5 此区域满足iC=?IB称为线性区（放大区）。 特征是：发射结正向偏置， uBE UON，集电结反偏，uCE uBE。 N P N b e c iC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) IB=0 IB1 IB2 IB3 IB4 IB5 此区域称为饱和区。发射结正偏， uBE UON，集电结正偏， UCE?UBE, ?IBIC，UCE0.3V。 N P N b e c iC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) IB=0 IB1 IB2 IB3 IB4 IB5 UBE UON， IB=0,此区域集电结反偏， UCEUBE, IC≤ICEO, 称为截止区。 N P N b e c 例： 电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为1.5V 、3V情况下晶体管的工作状态及输出电压uO的值。 所以晶体管处于放大状态。 例： 电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为1.5V、3V情况下晶体管的工作状态及输出电压uO的值。 1.3.4晶体管的主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 1.电流放大倍数? b e c IB IE IC NPN型三极管 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?iB，相应的集电极电流变化为?iC，则交流电流放大倍数为： 2.集-基极反向饱和电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 3.集-射极穿透电流ICEO ?A ICEO ICEO＝（1＋β）ICBO 而ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。选管子时，ICBO