第1章双极型半导体器件祥解.ppt

Sect 例1.4.1. 所有的二、三极管均为硅管，用试分析图电路中各三极管的工作状态。 解: (1) VT1: 基极与最下端的电位差是1V-0.3V=0.7V，0.7V打不开二个硅PN结。所以三极管截止。 (2) VT2: 基极与最下端的电位差是6V-0V=6V，导通， 设此时UBE=0.7V，发射极电流 所以，集电极电位 集电极电位不可能为负值，三极管VT2已经饱和,设UCE=0V，于是集电极电流最大为 (3) 对于VT3基极与最下端的电位差是5V-3.6V=1.4V， 基极电流 所以发射结导通。但是该三极管的集电极接+1.4V，而发射极接+3.6V，发射极和集电极互相接反了，属于倒置工作状态。一般而言双极型三极管的发射极和集电极是不能互换使用的。 Sect 1.4.4 三极管BJT的参数 1. 电流放大系数 共射直/交流电流放大系数 ? =?ic/?ib 共基直/交流电流放大系数 α=?ic/?ie (1).集电极基极间反向饱和电流Icbo Icbo的下标cb代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。 (2).集电极发射极间的穿透电流Iceo 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流 2. 直流参数 Iceo=（1+ ）Icbo ICEO C B E μA μA ICBO C E B ① ICM —— 集电极最大允许电流 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时所对应 的最大集电极电流,当IC＞ICM时，三极管并不一定会损坏。 ② PCM —— 集电极最大允许功耗 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈IC VCE ， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。 Sect ③反向击穿电压—— 表示三极管电极间承受反向电压的能力 V (BR) CBO V (BR) CES V (BR) CER V (BR) CEO 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE U(BR)CEO IC/ mA ICM O 3. 极限参数 双极型三极管的参数 参 数 型 号 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f? 1.4.5. 复合晶体管 复合管就是把两只或多只三极管的电极通过适当连接，作为一个管子来使用。 复合管联接方法如下： ⑴ 复合管的等效管型由第一只管的管型确定。 ⑵ 在组合成复合管时，管子的各极电流必须畅通 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Chap 电子技术基础 (电工学Ⅱ) 机械工业出版社 第1章 双极型半导体器件 1.1.1 本征半导体及其导电性 1. 本征半导体共价键结构 物质按其导电能力的强弱分类： 导体——容易传导电流的材料称为导体。 绝缘体——几乎不传导电流的材料称为绝缘体。 半导体——导电能力介于导体和绝缘体之间的称为半导体。 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 由于绝大多数半导体的原子排列呈晶体结构，所以由半导体构成的管件也称晶体管。 1.1 半导体的基本知识 退出 2. 电子空穴对 自由电子: 当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发，也称热激发。 图1-1 本征激发和复合的过程 空穴: 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 电子空穴对: 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能