项目一二极管资料.pptVIP

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 项目一　半导体二极管认知及应用 1、　什么是半导体 半导体中，携带电荷参与导电的粒子。 自由电子：带负电荷 空穴：带与自由电子等量的正电荷 均可运载电荷—载流子 条件：在外电场作用下，载流子都可以做定向移动，形成电流。 　　指导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，如硅和锗材料。 一、半导体基本知识 2、物质分类 3、载流子： 按导电性能 : 导体、半导体、绝缘体 　主要靠电子导电的半导体。 　即：空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 　主要靠空穴导电的半导体。 5、PN 结 　　PN 结：在硅或锗单晶体上，同时加工出P型区和N型区， P型区和N型区的结合部就有一个特殊的薄层，称为 PN 结。 　单向导电特性：加正向电压导通，加反向电压截止。 4、半导体分类 即：电子是多数载流子，空穴是少数载流子 内部自由电子和空穴数目相等且数量极少。 杂质半导体 本征半导体： P 型半导体： N 型半导体： （一）二极管的结构和符号 　　利用 PN 结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件 —— 半导体二极管。 　　箭头方向表示正向导通时电流的方向。 二、二极管的基本知识 　由于管芯结构不同，二极管又分为点接触型（如图 a）、面接触型（如图 b） 　　点接触型：PN 结接触面小，适宜在小电流状态下使用。 　　面接触型、平面型：PN 结接触面大，截流量大，适合于大电流场合中使用。 （二）分类 E S （三）单向导电性 H1 H2 V1 V2 （1）正向导通：电源正极接 P 型半导体，负极接 N 型半导体，电流大，又称正向偏置状态。 （2）反向截止：电源正极接 N 型半导体，负极接 P 型半导体，电流小。又称反向偏置状态。 　结论：二极管加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为 二极管的单向导电性。 　 加在二极管两端的电压uD和流过二极管的电流iD的关系曲线。 （四）伏安特性及测试 伏安特性曲线： 　② 正向导通区：AB段，当外加电压大于死区电压后，电流随电压增大而急剧增大，二极管导通。 　① 死区：当正向电压较小时，正向电流极小，二极管呈现很大的电阻，如 OA 段，通常把这个范围称为死区或不导通区。 死区电压： 　　导通电压： ? í ì = on V 约为0.3 V （Ge） 约为 0.7 V （Si） 1、正向特性 ? í ì = (Si） V 0.2 V 5 . 0 D V (Ge） 　　若反向电压增大到超过某一值时，反向电压稍有增加，反向电流急剧加大，这种现象称为反向击穿。 　　当加反向电压时，二极管反向电流很小，而且在很大范围内不随反向电压的变化而变化，故称为反向饱和电流或反向漏电流IR。 2、反向特性 总结论：二极管属于非线性器件 ① 反向截止区： OC段 越小越好 ② 反向击穿区： CD段 反向击穿电压UBR：工作是不允许超过 （五）主要参数 1、最大整流电流 IF 二极管长时间正常工作允许通过的最大正向平均电流。 二极管在正常使用时所允许加的最大反向电压。 　　使用时应注意流过二极管的正向最大电流不能大于这个数值，否则可能损坏二极管。 2、最大反向工作电压 UR 　　UR = UBR 3、反向电流IR 二极管处于反偏工作状态而未击穿时的反向电流。 越小越好。 4、最高工作频率fM 二极管正常工作时的上限频率。越小越好。 将万用表拨到欧姆挡 R×100Ω或 R×1KΩ挡，红、黑表笔分别接二极管的两电极，若测得阻值较小（约几百欧至几千欧），则黑表笔所接为正极，红表笔所接为负极；测得阻值较大（约几百千欧），则红表笔所接为正极，黑表笔所接为负极。 用红、黑表笔正反两次测其电阻，若两次阻值一大一小，则管子正常；若两次阻值均很大，则管子内部已断路；若两次阻值均很小，则管子内部已短路；若两次阻值均为几百千欧，则管子已失去单向导电性。 （六） 二极管的简易测试 注意：正、反向电阻选用的量程不同阻值不同。 一、稳压二极管 　　 任务2?特殊二极管认知及应用 简称稳压管，是用硅材料利用特殊工艺制造的二极管，又称为齐纳二极管。 电路符号如图： 1、伏安特性曲线 工作电压： 工作状态： 工作区域： 反向击穿电压 反向击穿状态 反向击穿区 正向特性与普通二极管 一样。 作用： 稳压 特点： 2．主要参数 （1）稳定电压 UZ：是稳压管的反向击穿电压，是指稳压 管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。 （2）稳定电流 IZ：稳压管在正常工作时的参考电流值。 （5）额定功率 PZM：稳压管