第三章门电路摘要.ppt

二、输出特性 不同系列的结构和参数有所不同 改进 二、OD门(漏极D开路)及应用 三.双向模拟开关、传输门(TG) 四、TS三态门 二、输出特性 1、VCC=ILR4+VCE4+VD2+VOH（分量电压叠加等于电源VCC ） 2.低电平输出（T5饱和）特性 例:VOH=3.4V，VIHmin=2V，IIH=0.04mA VOL=0.2V，VILmax=0.8V，求RP=？ 2、或非门 3、与或非门（1.,2.结合） 4、异或门 例： TTL门电路 三、输入端负载特性（Vi/Ri） RP小uiUT=1.4V 输出高电平 RP??ui??ui=UT时，输出低电平 RP(K) vi(V) 练习4：判断如图TTL电路输出为何状态？ 10KΩ Y1 10KΩ Y3 VCC 10Ω Y2 续前 TTL门电路 输入端悬空相当于输入端接高电平。 解： TTL门电路 多发射结 (PN)结构 A、B有“0”，VB1=1.0V，VOH A、B全“1”，VB1=2.1V，VOL 一、基本门 1、与非门 低电平/高电平0.3V/3V 低电平/高电平0.3V/3.4V 3.5.5 TTL其它门 共发：输入基极，输出集电极，反相 共集：输入基极，输出发射极，同相 共基：输入发射极，输出集电极，同相 求前级输出为高电平时扇出系数NH=？ +VCC D2 R2 1.6K R4 130 T4 前级 TTL门电路 后级 ┊NH=? 0.7m(恒) T1 例：求3输入端与非门的NH 已知IOH= –1.0mA, IIH=50?A 解： 注意：NH只能取整数6 NH=IOH /IIH?m(每门输入端发射极数) 结论：对于多发射极与门，高电平输入电流与输入端的发射极个数有关 后级 5V TTL门电路 +Vcc R1 4K T1 R2 1.6K T5 T2 R3 1K 前级 求前级输出为低电平时扇出系数NL=？ ┊NL=? 例：求3输入端与非门的NL 已知IOL=15mA, IIL= –1.26mA 解： 注意：NL只能取整数11 T1 结论：对于多发射极与门，低电平输入电流 IIL（=IB1）与内部结构有关，与发射极个数无关 练习5：如图电路，已知 74S00门电路GP参数为： IOH/IOL= –1.0mA/20mA；IIH/IIL= 50μA/–1.43mA （1）试求门GP的扇出系数N是多少？ GP G1 Gn 取N=10 取N=5 注意：扇出系数N 是NL、NH中的小值；通常NLNH （2）若将电路中的芯片改为74S20(4与非二),其门参数同74S00，此时GP的扇出系数N又为多少？ 共发：输入基极，输出集电极，反相 共集：输入基极，输出发射极，同相 共基：输入发射极，输出集电极，同相 GP G1 Gn ＡＢ Ｔ2Ｔ2 Ｔ5Ｔ4 Ｙ ００ 止 止 止 通 1 ０１ 止 通 通 止 ０ １０ 通 止 通 止 ０ １１ 通 通 通 止 ０ 有1出0全0出1 独立、并联呈或关系 T1个数 发射极数 TTL门电路 发射极数 T1个数 74HC系列 输入保护电压VDD + VD1 ? 工作区 ? D1通 D2通 一、输入特性 3.3.3.CMOS非门静态输入(出)特性 保护区 RL VDD RL 以74HC为例：VDD=5V时，IO≤ |4mA| －4mA VOHmin=4.4V +4mA VOLmax=0.1V －4mA VOHmin=4.4V +4mA VOLmax=0.1V VOH=5V VOL 0 “0” “1” 有0出1 全1出0 全0出1 有1出0 (全0出1) (全1出0) (全0出1) (全1出0) 优点：简单 影响负载能力N值 3.3.5 其它类型的CMOS门 一、基本门 或非 全0出1 有1出0 与非 有0出1 全1出0 电平转换芯片： “1”=3.4V “0”=0.3V =5V AB =18V “1”=18V “0”=0V 适于TTL驱动CMOS 逻辑符号： 实现线与功能 线与连接方法： 线与逻辑符号： VOH=VDD?IRLRL=VDD?(nIOH+mIIH)RL RL的计算 (1)输出高电平VOH时计算RLmax ?n为并联驱动OD门的总数;m为负载门电路输入电流的数目 ●IOH是OD门输出管截止时的漏电流 ●IIH是每个输入端的高电平输入电流 ①总电流IRL等于分电流之和nIOH+mIIH；②R=VR / IR 总 分1 分2 RLmax= (2)输出低电平VOL时计算RLmin VOL=VDD－