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内存基础知识 什么是内存？ 内存（Memory）是主机上重要的部件之一，是CPU与其他设备沟通的桥梁，主要用来临时存放数据，并配合CPU工作，协调CPU的处理速度，从而提高整机的性能。 内存概述 内存也称主存或内存储器，按照内存的工作原理主要分为ROM和RAM两类： 内存的结构形式 内存一般采用内存条的结构，根据内存条的封装和插脚形式不同，可分为两大类： “金手指” 所谓多少“线”是指内存条与主板插接时有多少个接点，俗称“金手指”。 内存的分类 我们通常所说的内存就是指RAM，根据结构和工作原理 RAM又可分为两类：静态RAM（Static RAM ）和动态RAM（Dynamic RAM ）。 FPM(Fast Page Mode) FPM(快页模式)是较早的个人计算机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在已很少见到使用这种内存的计算机系统了。 EDO(Extended Data Out) EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。 SDRAM(Synchronous DRAM) SDRAM(同步动态随机存储器)是目前奔腾计算机系统普遍使用的内存形式。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。 DDR(Double Data Rage)SDRAM DDR SDRAM也就是 SDRAM II，是SDRAM的更新换代产品，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽。 RDRAM(Rambus DRAM) RDRAM(存储器总线式动态随机存储器)是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的新型DRAM，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。 Flash Memory Flash Memory(闪速存储器)是一种新型半导体存储器，主要特点是在不加电的情况下长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型，既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。 Shadow RAM Shadow RAM也称为“影子内存”,是为了提高计算机系统效率而采用的一种专门技术，所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(动态随机存取存储器)芯片。Shadow RAM的功能就是用来存放各种ROM BIOS的内容。也就是复制的ROM BIOS内容，因而又它称为ROM Shadow，这与Shadow RAM的意思一样，指得是ROM BIOS的“影子”。 ECC ECC(Error Correction Coding或Error Checking and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计算机中，一般的家用与办公计算机也不必采用ECC内存。 CDRAM(Cached DRAM) CDRAM(带高速缓存动态随机存储器)是日本三菱电气公司开发的专有技术，它通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器和同步控制接口来提高存储器的性能。 DRDRAM(Direct Rambus DRAM) DRDRAM (接口动态随机存储器)是Rambus在Intel支持下制定的新一代RDRAM标准，与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。 SLDRAM(SyncLink DRAM) SLDRAM(同步链接动态内存)是由IBM、惠普、苹果、NEC、富士通、东芝、三星和西门子等大公司联合制定的，是一种在原DDR DRAM基础上发展起来的高速动态读写存储器，具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但其工作频率要低一些，可用于通信、消费类电子产品、高档的个人计算机和服务器中。 VCM(Virtual Channel Memory) VCM(虚拟通道存储器)由NEC公司开发，是一种新兴的缓冲式DRAM，可用于大容量的SDRAM。此技术集成了“通道缓冲”功能，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输，让带宽增大的同时还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常