传感器资料技术报告.docVIP

一：填空题 变间隙型电容传感器做成差动结构以后，灵敏度为原来的（2）倍。 补偿导线法常用作热电偶的冷端温度补偿，它的理论依据是中间（温度）定律。 传感器是将被测（非电量）转换为（电量）的装置。 半导体材料受外力的作用，电阻率发生变化的现象叫（压电阻）效应。 光在光纤中传播是基于光的（全反射现象）。 光电池是基于（光生伏特）效应工作的光电器件，作为测量元件适宜用作（电压）源。光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。 传感器的动态特征特性决定了它能测量的被测信号（测量）范围。 为克服导线电阻对测量造成影响，热电阻通常采用（电桥式）接法。 差动变压器在零位移时的输出电压称为（零点残余电压），它是由于两个次级线圈电气参数与几何尺寸不对称，以及磁性材料的非线性问题引起的。差动电压器输出的是交流电压，为了达到能辨别移动方向及消除零点残余电压的目的，常用差动整流电路和相敏捡波电路。 霍尔元件所采用的材料为（半导体）。 红外辐射的物理本质是（热辐射），物体温度越高则波长越（短）。 已知压力表的量程为30Mpa,最大绝对误差为0.3Mpa,则压力表的精度为（1）级。0.3/30X100%=1% 按表达式误差进行分类，可将误差分为（绝对误差）（相对误差）和（引用误差）。 变气隙厚度式单线圈电感传感器的初始间隙越小，则灵敏度越（高）。 光敏电阻是基于（闪光电）效应的光电器件。 热电阻的阻值会随温度的升高而（增大）。 热电偶中产生的热电势由（接触电势）和（温差电势）组成。接触电势的大小和接点处温度高低和导体电子密度有关，温度越高，接触电势越打，两种导体电子密度的比值越大，接触电势也越大。 压电式传感器（有源传感器，发电型传感器）测量电路中前置放大器的作用有两个：一是（把它的输出阻抗变换为低阻阻抗）二是（放大传感器输出的微弱信号）。 光敏二极管在电路中一般是处于（截止）工作的状态。 数值孔径是衡量光纤（集光性能）的主要参数。 光电开关和光电断续器都是由（红外线发射元件）和光敏接受元件组成的。知识光电断续器是整体结构，其检测距离只有几毫米至几十毫米，而光电开关的检测距离可达几米至几十米。 在热电偶回路中加入第三种导体材料时，如果两接点的温度相同，则对整个回路中的热电势无影响。这是热电偶基本定律的中间（导体）定律。 二 光敏三级管工作时（A）。 A，基极开路，集电结反偏，发射结正偏 B，基极开路，集电结正偏，发射结反偏 C，基极接电信号，集电结正偏，发射结反偏 D，基极接电信号，集电结反偏，发射结正偏 一下说法不正确的是（B）。 A，石英晶体沿光轴方向受力时不产生压电效应。 B，光敏二极管在不受光照时处于导通状态。 C，测量结果与其约定真值之差即为误差。 D，金属导体材料，其压阻效应极小，而对于半导体材料，其几何效应较小。 以下属于有源型的传感器是（D） A，应变片 B,电容式传感器 C,差动变压器 D，热电偶 基于外光电效应工作器件有（D）。 A光敏电阻 B光敏二极管 C光电池 D光电倍增管 5不能用来测静态力的传感器是（B） A应变片 B压力传感器 C电容式传感器 D电感式传感器 7，差动变压器式传感器是利用线圈的（D）的变化实现非电量测量的一种装置。 A磁路磁阻 B自感 C电涡流 D互感 8，一下只能用于检测导体的接近开关是（B）。 A电容式 B涡流式C光纤式 D光电开关 9，为消除压电传感器的连接电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用（C）。 A相敏检波器 B电压放大器 C电荷放大器 D滤波器 10，沿石英晶体的光轴Z的方向施加作用力时（D）。 A在晶体的光轴Z方向产生电荷 B在晶体的电轴X方向产生电荷 C在晶体的机械轴Y方向产生电荷 D晶体不产生压电效应 11光敏三极管工作时（A）。 A，基极开路，集电结反偏，发射结正偏 B，基极开路，集电结正偏，发射结反偏 C，基极接电信号，集电结正偏，发射结反偏 D，基极接电信号，集电结反偏，发射结正偏 12，差动变压器式传感器是利用线圈的（D）的变化实现非电量测量是一种装置。 A磁路磁阻 B自感 C电涡流 D互感 13，以下不属于有源型的传感器是（B）。 A热电偶 B差动变压器 C压电式传感器 D光电池 14，以下关于误差的说法正确的是（D）。 A系统误差可以通过多次重复测量减小或消除 B仪表的精度等级通常用最大引用误差来表示 C随机误差可以用调整或校正的方法加消除 D粗大误差无需通过多次重复测试即可发现 15变隙式自感型电感式传感器的灵敏度越高，则测量范围越（A），非线性误差越（A）。 A宽，小 B宽，大 C窄， 大 D窄，小 17，电桥测量电路的作用是把传感器的参数变化转为（C）的输出 A电阻 B电容 C电压 D电荷 18，压电式加速度传感器是（D）信