半导体基础和二极管精要.ppt

模拟电子技术基础 模拟电子技术基础B 授课教师： 肖 烜 授课单位： 北京理工大学自动化学院 电子学教研室 联系电话： 办公室） 教研室） E－mail： bitxxuan@bit.edu.cn 课程成绩的评定 分为两大部分： 1、平时成绩 30分； （1）课堂测试及点名： 15分 （2）作业： 15分 2、期末考试成绩 70分 模拟电子技术基础B概述 全书共分为十一章。 第一章是全书的基础知识，也是难点，要求理解。接下来是由各种不同的器件构成的放大电路及特性：包括第二章，第三章，第四章、第五章和第六章。紧接着是放大电路的应用：包括第七章、第八章和第九章。 第十章也是放大电路的应用。 模拟电子技术基础B概述 第十一章讲述EDA技术。 本书重点：第二章，第三章，第七章，第八章和第九章。 通过以往的讲述看，模拟电子技术基础比数字电子技术基础的难度大，主要是新概念多，应用电路复杂多样，但各种电路实际上是有规律可循。 模拟电子技术基础B概述 模拟电子技术基础的整本书贯穿的是“放大”。 放大电路的基本器件：晶体管和场效应管； 放大电路的组成； 放大电路的特性； 放大电路的应用。 模拟电子技术基础B概述 什么是放大？如何正确理解电子电路的放大？ 其他概念 建立工程化的概念，作为专业基础课程，应和实际相联系。如电阻的阻值，其实是在其标称值某个范围内变化的，并不等同于标称值。 书中多次出现等效，近似等字眼，说明其和实际情况并不完全等同。 关于EDA技术和可编程模拟器件 EDA技术是目前研究的热点。 电子产品从电路设计、性能分析导最终的完成实现都可以通过计算机软件实现。 可编程模拟器件是一类新型集成电路，可以通过改变器件的配置得到需要的电路功能。方便快捷完成模拟电路的设计、验证和修改，缩短产品的研制周期，降低产品开发成本。 掌握一个基本的EDA软件：PSpice。 模拟电子技术基础B概述 课时分配： 第一章：2学时 第二章：6学时 第三章：4学时 第四章：2学时 第五章: 2学时 第六章：1学时 第七章：5学时 第八章：4学时 第九章：4学时 第十章：2学时。 共计：32学时 PN结的单向导电性 PN结正偏时的正向电流（是扩散电流）数值较 大，此时容易导电； PN结反偏时的反向电流（是漂移电流）数值很 小，几乎不导电。 3. PN结的击穿特性 3. PN结的击穿特性 3. PN结的击穿特性 1.2.6半导体二极管应用举例 总结：二极管有两种工作状态：导通和截止。如果导通，二极管两极的电压等于开启电压，如果截止，二极管电流为零，电阻无穷大。（正常工作状态下） 此结论不适用微变等效模型。   1.2.8 其他类型二极管 1.2.8 其他类型二极管 当PN结反向电压超过一定数值UBR后，反向电流急剧增加，该现象称为反向击穿， UBR称为反向击穿电压。 齐纳击穿 雪崩击穿 齐纳击穿：在掺杂浓度高的情况下，不大的反向电压可以在耗尽层产生很强的电场，直接破坏共价键，形成电子-空穴对，导致电流急剧增加。硅材料一般在4V以下。 雪崩击穿：掺杂浓度低，当反向电压比较大时，耗尽层中的少子加快漂移速度，撞击共价键，形成电子-空穴对，新的电子和空穴在电场的作用下加速运动，撞出新的价电子。载流子雪崩式倍增，导致电流急剧增加。一般在7V以上。 在4 ～7V之间，两者都有，其温度特性较好。 1.2 半导体二极管1.2.1 二极管的结构和符号 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，由P区引出的电极为阳极，N区引出的电极为阴极。 点接触型二极管 阳极引线 金属丝 N型锗 外壳 阴极引线 PN结 二极管的符号 阳极 阴极 阳极引线 SiO2保护层 P型硅 阴极引线 面接触型二极管 N型硅 1. 2. 2 二极管的伏安特性 0 I / mA U / V 正向特性 反向击 穿特性 反向特性 Uth 二极管和PN结一样具有单向导电性。 UBR 二极管和PN结的比较： 和PN结相比，二极管具有半导体体电阻和引线电阻，外加电压相同时，二极管的电流比PN结的电流小。因存在表面漏电流，二极管的反