实验一常用光电子探测器件特性测试实验详解.doc

实验一 常用光电子探测器件特性测试实验 一.实验目的 学习掌握光敏电阻、硅光电池、雪崩二极管的工作原理 学习掌握光敏电阻、硅光电二极管、雪崩二极管的基本特性与测试方法 了解光敏电阻、硅光电池、雪崩二极管的基本应用 实验器材 光电子探测实验箱、光敏电池、硅光电二极管、光照度计等。 实验电路图与实验数据 硅光电池短路电流特性测试 光电池 光源 图1.硅光电池短路电流特性测试 测试数据 光照度（Lx） 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 光电流（uA） 0 17.7 35.3 52.5 70.2 87.4 104.8 122.2 139.7 157.2 2.硅光电池开路电压特性测试 电路图如图1 测试数据 光照（LX） 0 10 20 30 40 50 90 120 150 180 210 240 270 光电压（mV） 3.3 321 352 368 379 387 406 415 422 427 432 436 439 APD光电二极管伏安特性测试 RL 图2.APD电路连接图 测试数据 偏压（V） 0 50 100 120 130 140 光生电流（uA） 0.2 0.6 2.0 13.1 795 2620 4.APD光电二极管光照特性测试 电路图如图2 测试数据 光照度（Lx） 0 30 60 90 120 150 180 210 2740 270 光生电流(uA) 0 163 178 187 191 195 198 205 213 213 光敏电阻伏安特性测试 I RG U 微安表 图3.关敏电阻测量电路 测量数据 偏压 2V 4V 6V 8V 10V 光照度200Lx,光电流(mA) 2.26 4.53 6.80 9.10 11.45 光照度100Lx,光电流（mA） 1.63 3.26 4.91 6.56 8.25 6.光敏电阻的光照特性测试 电路图如图3 测试数据 光照度（Lx） 30 60 90 120 150 180 210 240 270 电压U（V） 8 8 8 8 8 8 8 8 8 光电流（mA） 3.67 5.12 6.23 7.17 7.98 8.71 9.37 9.96 10.54 光电组（U/I）（Ω） 2180 1562 1284 1116 1005 918 854 803 759 7..光敏电阻的光谱特性测试 照度计E=10Lx 波长（nm） 红（630） 橙（605） 黄（585） 绿（520） 蓝（460） 紫（400） 光电阻（KΩ） 6.53 7.25 6.40 5.31 6.07 7.15 四.实验小结 通过做本次试验我了解到：在做实验前,一定要将课本上的知识吃透,因为这是做实验的基础,否则,在老师讲解时就会听不懂,这将使你在做实验时的难度加大,浪费做实验的宝贵时间,如果你不清楚,在做实验时才去摸索,这将使你极大地浪费时间,使你事倍功半.做实验时,一定要亲力亲为,务必要将每个步骤,每个细节弄清楚,弄明白,实验后,还要复习,思考,这样,你的印象才深刻,记得才牢固,否则,过后不久你就会忘得一干二净,这还不如不做.做实验时,老师还会根据自己的亲身体会,将一些课本上没有的知识教给我们,拓宽我们的眼界,使我们认识到这门课程在生活中的应用是那么的广泛。 A表 电压源 V A