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覆镍硅微通道板用于三维超级电容器研究.pdfVIP

覆镍硅微通道板用于三维超级电容器研究.pdf

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第 期 华东师范大学学报(自然科学版) 5 No.5     年 月 ( ) 2012 9 Se.2012 JournalofEastChinaNormalUniversit NaturalScience p y 文章编号: ( ) 10005641201205000109 覆镍硅微通道板用于三维超级电容器的研究 刘 涛, 王 斐, 徐少辉, 王连卫           (华东师范大学 电子工程系 极化材料与器件教育部重点实验室,上海 200241) 摘要:采用无电镀方法在硅微通道板上制备镍,然后进一步通过化学液相沉积法,在其上面制 备了氢氧化镍纳米晶体,获得了一种具有独特三维结构的 / / ( )超级电容器 SiMCPNiNiOH 2 . 研究发现,制得的氢氧化镍晶体由许多纳米薄片组成, 图谱显示其具备 和 两种晶型 通 XRD α β . 过循环伏安和计时电位法对该超级电容器进行了性能测试 在放电电流为 时,样品获得 . 10mA 最大放电比容量,为 / 在多次循环测试中,样品的稳定性良好 随着退火温度的升高, 2150F . . g 样品的容量下降 研究发现氢氧化镍的表面积减小是导致容量衰减的主要原因 由于该电容器 . . 有着巨大的比容量和良好的稳定性,该三维结构有望应用于二次电源和相关器件中. 关键词:三维; 硅微通道板; 氢氧化镍; 超级电容器       中图分类号: 文献标识码: : / O649.4 A 犇犗犐10.3969 .issn.10005641.2012.05.001       j 犜犺狉犲犲犱犻犿犲狀狊犻狅狀犪犾狀犻犮犽犲犾犮狅犪狋犲犱狊犻犾犻犮狅狀犿犻犮狉狅犮犺犪狀狀犲犾 犾犪狋犲狊犳狅狉狊狌犲狉犮犪犪犮犻狋狅狉狊 狆 狆 狆 , , , LIUTao WANGFei XUShaohui WANGLianwei    

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