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第44 卷第3 期 红外与激光工程 2015 年3 月
Vol.44 No.3 Infrared and Laser Engineering Mar.2015
非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究
秦娟娟 邵景珍 刘凤娟 方晓东
( 中国科学院安徽光学精密机械研究所 安徽省光子器件与材料重点实验室, 安徽 合肥 230031)
摘 要 利用KrF 准分子激光器晶化非晶硅薄膜 研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄
膜晶化效果的影响遥利用X 射 衍射(XRD)和扫描电子显微 (SEM)对晶化前后的样品的物相结构和表
面形貌进行了表征和分析遥 实验结果表明 在激光 率为1 Hz 的条件下 能量密度约为180 mJ/cm2 时
准分子激光退火处理实现了薄膜由非晶结构向多晶结构的转变曰 当大于晶化阈值 180 mJ/cm2 小于能量
密度230 mJ/cm2 时 随着激光能量密度增大 薄膜晶化效果越来越好曰激光能量密度为230 mJ/cm2 时
晶化效果最好尧晶粒尺寸最大 约60 nm 并且此时薄膜沿Si(111)面择优生长曰脉冲次数 50 次以后对晶
化的影响不大遥
关键词 准分子激光退火曰 非晶硅薄膜曰 多晶硅曰 能量密度曰 脉冲次数
中图分类号 TN304.1 文献标志码 A 文章编号 1007-2276(2015) 03-0959-05
Crystallization of amorphous Si films by excimer laser annealing
Qin Juanj uan, Shao Jingzhen, Liu Fengj uan, Fang Xiaodong
(Anhui Provincial Key Laboratory of Photonic Devices and Materials , Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics , Chinese
Academy of Sciences , Hefei 230031, China)
Abstract: Amorphous silicon (a :Si) films were annealed by KrF excimer laser to realize the influence of
different power density and different pulse counts . The analysis of a 院Si thin film microstructure and
surface morphology was conducted using X - ray
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