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2.4 TTL逻辑门电路 二值逻辑0、1的实现方法 如何获得高电平或者低电平呢? 2.2半导体器件的开关特性 动态开关特性 2、三极管的开关特性 3、MOS管的开关特性 MOS管内阻大且存在寄生电容,所以开关延迟作用大,其开关特性比三极管差。 2.3 分立元件门电路 2、二极管或门 3、三极管非门 4、与非门电路 分立元件门电路的缺点 2.4 TTL集成门电路 集成电路:把二极管、三极管、电阻和连线都制作在一块半导体基片上构成具有一定功能的电路。 集成电路可分为线性集成电路、数字集成电路、混合集成电路。 数字集成电路可分为SSI、MSI、LSI、VLSI。 SSI从功能可分为门电路、触发器 门电路从集成工艺可分为双极型、MOS型 双极型工艺可分为TTL、HTL、ECL、I2L MOS型工艺可分为NMOS、PMOS、CMOS 2.4.1TTL反相器(非门) 1、电路结构与工作原理 (2)电压传输特性 (2)输入端噪声容限 3、TTL反相器的静态输入输出特性 为了正确地处理门电路与门电路,以及门电路与其它电路之间的连接问题,必须了解门电路输入端和输出端的特性。 输入特性 输出特性—高电平 输出特性—低电平 输入输出特性总结 无论是输入还是输出,电流和电压是相互影响的,其关系由特性曲线确定。 在实际工作中,当电流变化时会影响电压的值,当电压的变化超出0和1的逻辑定义时,它就是无效的! 应用举例 输入端负载特性 输入负载特性 Vi=f(Ri) 其他逻辑功能的门电路 TTL或非门电路 TTL与或非门 TTL异或门 在工程实践中,有时需要将几个门的输出端并联使用,以实现与逻辑,称为线与。普通的TTL门电路不能进行线与。 为此,专门生产了一种可以进行线与的门电路——集电极开路门。 (1)当输出高电平时, RP不能太大。RP为最大值时要保证输出电压为VOH(min),由 得: 三态输出门电路(TS门) 三态门:Three-State Output Gate 三态门电路结构 三态门逻辑符号 三态门逻辑符号 低电平有效的三态门电路结构 三态门应用1-总线结构 三态门应用2-双向传输 5.74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6.74AS系列——为先进肖特基系列,它是74S系列的后继产品。 7.74ALS系列——为先进低功耗肖特基系列,是74LS系列的后继产品。 逻辑关系:(设两管的开启电压为VT1=VT2=4V,且gm1>>gm2 ) (1)当输入Vi为高电平8V时,T1导通,T2也导通。因为gm1>>gm2,所以两管的导通电阻RDS1<<RDS2,输出电压为: 1.逻辑关系: (设VDD>(VTN+|VTP|),且VTN=|VTP|) (1)当Vi=0V时,T2截止,T1导通。输出VO≈VDD。 (2)当Vi=VDD时,T2导通,T1截止,输出VO≈0V。 (1)当Vi<2V,TN截止,TP导通,输出Vo≈VDD=10V。 (2)当2V<Vi<5V,TN工作在饱和区,TP工作在可 变电阻区。 (3)当Vi=5V,两管都工作在饱和区, Vo=(VDD/2)=5V。 (4)当5V<Vi<8V, TP工作在饱和区, TN工作在可变电阻区。 (5)当Vi>8V,TP截止, TN导通,输出Vo=0V。 可见: CMOS门电路的阈值电压 Vth=VDD/2 (2)或非门 (3)带缓冲级的门电路 为了稳定输出高低电平,可在输入输出端分别加反相器作缓冲级。下图所示为带缓冲级的二输入端与非门电路。 L= 当EN=1时,TP2和TN2同时截止,输出为高阻状态。 所以,这是一个低电平有效的三态门。 4 .CMOS传输门 工作原理:(设两管的开启电压VTN=|VTP|) (1)当C接高电平VDD,C 接低电平0V时,若Vi在0V~VDD的范围变化,至少有一管导通,相当于一闭合开关,将输入传到输出,即Vo=Vi。 (2)当C接低电平0V,C 接高电平VDD,Vi在0V~VDD的范围变化时,TN和TP都截止,输出呈高阻状态,相当于开关断开。 CMOS双向模拟开关CC4016 1.CMOS逻辑门电路的系列 (1)基本的CMOS——4000系列。 (2)高速的CMOS——HC系列。 (3)与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。 2.CMOS逻辑门电路主要参数的特点 (1)VOH(min)=0.9VDD; VOL(max)=0.01VDD。 所以CMOS门电路的逻辑摆幅(即高低电平之差)较大
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