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多晶硅锭中的位错与残余应力
－计算模拟、实验与检测
周耐根，吴小元，周浪
南昌大学光伏研究院
万跃鹏 胡动力 张涛
国家光伏工程技术研究中心/ 赛维LDK
2014. 11. 06 南通
- 三点基本共识
- 热应力– 位错与残余应力的共同来源 报
- 位错形成与应力残余 – 平衡互补 告
- 结晶生长：持续柱状生长带来的问题 提
纲
- 冷却：简化会有什么后果 ？
- 高效多晶硅片碎片率似相对高，原因 ？
共识1：位错运动增殖总是伴随屈服变形和
应力释放
反过来说位错运动增殖是晶体屈服变形、释
放应力的微观机制.
共识2 ：启动位错增殖所需最小应力 （屈服应力）
随温度提高急剧下降
120
100 Brittle / Plastic transit ：
) ～750 C
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P 80
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C
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0
700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400
o
Temperature (C )
－from others’ study
共识3: 固态增殖是硅锭位错主要来源
－生长前沿附近
－生长后方及生长完成之后
原生：就在生长前沿！
证据之一
Evidence ：
OUTLINE
－highly localized distribution
－presence of large a
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