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太阳能硅材料类单晶及高效
多晶铸锭现状和发展趋势
张辉 - 清华大学工程物理系
郑丽丽-清华大学航天航空学院
zhhui@tsinghua.edu.cn
(类)单晶硅锭技术
控制型类单晶或全单晶铸锭:需引入籽晶,通过控制籽晶
熔化、界面形状 (平)、温度梯度(纵向)、位错密度
(成核方向,温梯)、浓度分布等。实现全单晶或类单晶
生产。
大体可采用现有铸锭炉改型,或重新设计修正型Bridgman
或修正型VGF (Vertical Gradient Freeze - VGF)方法。
这些技术已成功用于光学晶体生长和半导体晶体生长
zhhui@tsinghua.edu.cn
有籽晶硅铸锭起源(1979年结果)
T. F. Ciszek, G. H. Schwuttke, K. H. Yang, Directionally Solidified Solar-Grade
Silicon using Carbon Crucibles, J. Crystal Growth 46, 527-533 (1979).
Ted Ciszek用50x 50mm2 的籽晶,铸同样大小的硅
锭,用石墨坩埚。因壁面陈核,效果不好(锭相对较
高)。但这说明籽晶定向凝固的概念1979年前就有了。
BP Solar的专利不应该成立。
zhhui@tsinghua.edu.cn
早期类单晶铸锭生产 (2008年结果)
BP Solar单晶铸锭技术 - 转化效率接近单晶提拉锭:曾采用开炉化料
保护籽晶。因为色差问题,他们花了不少时间攻“黑”片技术
Pictures are provided by Nathan
高效超薄电池130微米
• Screen Print Cell Process:
− Average Efficiency: 16.7%
− Highest Efficiency: 18.3%
后来达到了19%
Mono2 TM
• Growth Rate: up to 20 kg/h
• Light elements concentrations:
− [C] = 4*1016 – 4*1017 atoms/cm3
− [O] = 1 – 6*1017 atoms/cm3
− [N] = 1*1015 atoms/cm3
Casting Single Crystal Silicon: Novel Defect Profiles from BP Solars Mono2 ™ STODDARD Nathan ; BEI WU ; WITTING Ian ;
WAGENER Magnus ; PARK Yongkook ; ROZGONYI George ; CLARK Roger , Solid state phenomena B1012-0394
zhhui@tsinghua.edu.cn
精功长
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