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第二讲 MOS 反相器;主要内容;输出= 3.3v;;;2. VIN=VOH≈VDD时;Vi为高电平VOH时,MI非饱和;;;饱和型E/E MOS负载反相器;;E/E MOS反相器;E/E MOS反相器;E/E MOS反相器;E/E MOS反相器;E/E MOS反相器;E/E MOS反相器;E/E MOS反相器;E/D MOS反相器;E/D MOS反相器;E/D MOS反相器;; CMOS反相器工作原理;CMOS反相器;Vin;CMOS反相器的几个重要参数;(1) VIL的计算;(2) VIH的计算;(3) CMOS反相器的逻辑阈值VM;CMOS反相器;(4) CMOS反相器的噪声容限;解: 对于CMOS反相器;CMOS反相器;当VIN=VIH时,nMOS管工作在线性区,pMOS管工作在饱和区;CMOS反相器;CMOS反相器;CMOS反相器;饱和区;线性区;Vin=VDD;如果N管和P管尺寸相等,KP ≈ 0.5KN(μp ≈ 0.5 μ n),则tr ≈ 2tf,因此,若希望tr=tf,则WP ≈ 2WN;环形振荡器;反相器的设计主要是确定MOS管的宽度;CMOS反相器;;;1.静态功耗PS;考虑扩散区与衬底之间的反向漏电流后,存在较小反向漏电流;2.动态功耗PD;Vin;CMOS反相器的功耗;CMOS反相器??功耗;CMOS反相器的功耗;Vin;降低动态功耗的基本原则;双电源LSI设计技术;小振幅数据通路技术;CMOS反相器的功耗;设计的综合考虑;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路;动态MOS电路
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