年产10吨高纯多晶 硅的生产工艺设计 毕业设计.doc

毕 业 设 计（论文） 题 目：年产10吨高纯多晶 硅的生产工艺设计 教 学 院： 化学与材料工程学院 专业名称： 化学工程与工艺 学 号： 201040820102 学生姓名： 指导教师： 2014 年 5 月 17 日  学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 ? 作者签名： 年 月 日 ? ? 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学院有关保障、使用学位论文的规定，同意学院保留并向有关学位论文管理部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权省级优秀学士学位论文评选机构将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 1、必威体育官网网址 □，在_________年解密后适用本授权书。 2、不必威体育官网网址 □。 （请在以上相应方框内打“√”） 作者签名： 年 月 日 导师签名： 年 月 日  Abstract This design for the annual output of 10 tons of high purity polysilicon production process design, closed cycle improved Siemens method. The process for hydrogen and silicon powder as raw material, through the catalyst in the fluidized bed reactor synthetic chemical hydrogen silicon, and then in the reducing furnace by chemical deposition chemical hydrogen by hydrogen reduction production of high purity polycrystalline silicon. Among them, the hydrogen and hydrogen chemical silicon operation ratio of 8:1, operating temperature is 1080 ~ 1200 ℃. By design, silicon powder consumption for 42 tons, hydrogen consumption of 7 tons, the reduction furnace volume of 1.5 m3, wall thickness is 8 mm, 1.0 m in diameter, cylinder height of 1.5 m, head height of 0.5 m; Rectification tower of theoretical plate number for 37 pieces, high tower. Keywords the polycrystalline silicon the improved Siemens method the silane method the metallurgical method the solar cell 目 录摘 要 II Abstract III 前 言 1 1 多晶硅简介 2 1.1 多晶硅的性质 2 1.2 多晶硅的分类 2 1.3多晶硅的用途 2 1.4多晶硅的包装与贮运 2 2 多晶硅生产方法概述及选择 3 2.1 多晶硅生产方法概述 3 2.1.1 改良西门子法 3 2.1.2 硅烷法 4 2.1.3 流化床法 6 2.1.4 冶金法 6 2.2 生产方法的评价与选择 7 3 改良西门子法基本原理及影响因素 9 3.1基本原理 9 3.2多晶硅质量影响因素分析 9 3.2.1原料对多晶硅质量的影响 9 3.2.2反应温度的影响 10 3.2.3混合气配比的影响 10 3.2.4 设备洁净条件的影响 10 3.2.5其他影响因素 11 4 物料衡算 12 4.1 还原炉的物料衡算 12 4.2 流化床的物料衡算 13 4.3 精馏塔的物料衡算 13 4.4 物料衡算一览表 14 5 工艺设备