中能硅业探索 毕业论文.doc

中能硅业探索 目 录 摘要 ……………………………………………………………………………… 4 英文摘要 ………………………………………………………………………… 4 第一章 概述 …………………………………………………………………… 5 1.多晶硅的概念……………………………………………………………… 5 2. 国内多晶硅产业概况…………. 5 第二章 多晶硅的生产工艺 …………………………………………………… 7 2.1改良西门子法的简介…………………………………………………………… 7 2.2三氯氢硅氢还原反应基本工艺流程………………………………………… 7 2.3生产多晶硅主要原料 …………………………………………………… 9 2.3.1 三氯氢硅的性质…………………………………………………… 9 2.3.2 氢气的性质………………………………………………………… 11 2.4生产多晶硅的原料质量要求…………………………………………… 12 第三章 SiHCI3氢还原反应……………………………………… 12 3.1 多晶硅反应原理 ……………………………………………………… 12 3．2 SiHCI3氢还原反应的影响因素 ……………………………………… 13 3．2．1氢还原反应沉积温度…………………………………………………… 13 3．2．2 混合气配比………………………………………………………………… 14 3．2．3 反应气体流量……………………………………………………………… 15 3．2．4 还原反应时间………………………………………………………………16 3．2．5硅表面积…………………………………………………………………… 16 3．2．6硅棒电流电压的关系…………………………………………………… 17 3.3 还原炉结构示意图……………………………………………………………… 17 3.4还原炉生产过程物料衡算……………………………………………………… 18 3.4.1三氯氢硅的流量及流速…………………………………………………… 18 3.4.2氢气的流量及流速………………………………………………………… 19 3.4.3混合气体的流量及流速…………………………………………………… 19 第四章 多晶硅的质量标准 …………………………………………………… 19 4．1硅棒质量问题及原因……………………………………………………… 19 4.2 多晶硅的用途 ……………………………………………………… 20 第五章 致谢 …………………………………………………………………… 21 参考文献 ………………………………………………………………………… 22 摘 要 多晶硅是单质硅的一种形态。通过化学或者物理方法使硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。 还原是将经提纯和净化的三氯氢硅与氢气混合通入还原炉中，在1080℃～1150℃下将还原出来的多晶硅沉积的发热体的硅芯上。从而得到纯度很高的单质硅。 而在生产多晶硅的过程中涉及很多的变量因素，都能影响到多晶硅产品的质量和纯度问题，本篇论文主讲在多晶硅的还原生产过程中，如何控制温度，及为获得一定的收率，如何控制流量配比等主要的影响因素，从而能够在生产过程中更好的提高产品的纯度。 关键词： 多晶硅，三氯氢硅，氢气，还原炉 Abstract Polycrystalline silicon is a new shape. Through chemical or physical method makes silicon atom to diamond arranged into many nuclei lattice form, such as these grow nuclei of different grain, orb orientation is the grain combine, is crystallization into polycrystalline silicon. Reduction is the purification and purification by silicon and hydrogen trichloramine hydrogen mixed ventilation with reduction furnace, in 1080 ℃ ~ 1,150 ℃ next will restore out of the heating element of polycrystalline