第二学期作业精要.doc

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(　　　　)。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有(　　　　)。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(　　　　)。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4理想二极管的反向电阻为(　　 　　)。 (a)零 (b)无穷大 (c)约几百千欧 5电路如图1所示，设，均为理想元件，已知输入电压=150sinV如图2所示，试画出电压的波形。 6电路如图1所示，设输入信号,的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压的波形，并说明t1,t2时间内二极管D1，D2的工作状态。 7电路如图所示，试分析当时，哪些二极管导通？当时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为）。 第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图(　　　　) 2图示电路，已知晶体管，，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA，RB应取(　 　　) (a)480k( (b)120k( (c)240k( (d)360k( 3电路如图所示，RC＝3k(，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， RB应调至(　　　　) (a)10k( (b)100k( (c)300k( (d)∞ 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T的，，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（UB，UC，UE）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻，电流放大系数=50，要求: (1)画出放大器的微变等效电路； (2)计算放大电路输入电阻及电压放大倍数。 6电路如图所示，已知，，，要求: (1)今测得，试求发射极电流以及晶体管的 (2)欲将晶体管的集射极电压减小到8V，试求RB应如何调整？并求出其 值。(3)画出微变等效电路。 第三章 多级放大电路 1由两管组成的无射极电阻简单差动放大电路，欲在双端输出时能很好的抑制零点漂移必须使得(　　　　) (a)电路结构对称，两管特性及对应的电阻元件参数相同。 (b)电路结构对称，但两管特性不一定相同。 (c)两管特性及对应的电阻元件参数相同，但电路结构不一定对称。 2在多级直接耦合放大电路中，导致零点漂移最为严重的是(　　　　) 第一级的漂移 (b)中间级漂移 (c)末级漂移 3在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是(　　　　) (a)提高电压放大倍数 (b)抑制零点漂移 (c)提高带负载能力 4电路如图所示，微安表的读数为，AB支路的总电阻，=50,，计算时忽略的影响，且不计微安表的内阻。要求：(1)指出电路的输入，输出方式；(2)电路是如何抑制零点漂移的？(3)计算输入电压的大小。 5差动放大电路如图所示，问对差模信号有无影响？为什么？ 6电路如图所示，其中两个晶体管特性完全相同。试回答：(1)RE，RC，RZ各起什么作用？(2)此电路是否能将交流信号放大为？(3)和的相位关系怎样，是同相还是反相？ 8某抑制零点漂移的放大电路如图所示，试说明该电路中，采用了哪些改善电路性能的措施? 第四章 集成运算放大器 1从外部看，集成运放可等效成高性能的（ ） 双端输入双端输出的差分放大电路 双端输入单端输出的差分放大电路 单端输入双端输出的差分放大电路 D 单端输入单端输出的差分放大电路 2集成运放的输出级多采用（ ） 共射放大电路 B. 共集放大电路 C. 互补输出电路 第5章 放大电路的频率响应 1低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ） (a) 耦合电容和旁路电容的存在 (b) 半导体管极间电容和分布电容的存在 (c)半导体管的非线性特性 (d) 放大电路的静态工作点不合适 2高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ） (a) 耦合电容和旁路电容的存在 (b) 半导体管极间电容和分布电容的存在 (c)半导体管的非线性特性 (d) 放大电路的静态工作点不合适 3单级阻容耦合共射放大电路中，当输入信号的频率等于上限频率时，和的相位差为( 　　). (a) (b) (c) (d) 第六章 负反馈放大电路 1放大电路如图所示，RF支路引入的反馈为(　　　　) (a)串联电压负反馈 (b)串联电流负反馈 (c)并联电压负反馈