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光耦合器测试方法
光耦合器简介
分类及参数
高线性光耦合器 高速光耦合器 逻辑输出光电耦合器 MOSFET输出光电耦合器 光隔离放大器 光电二极管输出光电耦合器 晶体管输出光电耦合器 三极与 SCR 输出光电耦合器 表一:光电耦合器的分类
输入类型 最大集电极/发射极电压 最大集电极/发射极饱和电压 绝缘电压 电流传递比 最大正向二极管电压 最大输入二极管电流 最大集电极电流 最大功率耗散 最大工作温度 最小工作温度 封装 / 箱体 系列 封装 600
表二:高线性光耦合器的参数
绝缘电压 输出类型 最大传播延迟时间 最大正向二极管电压 最大反向二极管电压 最大正向二极管电流 最大连续输出电流 最大功率耗散 最大工作温度 最小工作温度 封装 / 箱体 系列 封装
测试项目
参数 测试条件 判断标准 KFT FFCT ACCT FA 发光二极管正向压降VF 参照Datasheet Datasheet范围内 √ √ 正向电流IF 参照Datasheet Datasheet范围内 √ √ 输入级与输出级之间的绝缘电阻 参照Datasheet Datasheet范围内 √ 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO 参照Datasheet Datasheet范围内 √
√ 集电极-发射极饱和压降VCE(sat) 参照Datasheet Datasheet范围内 √ 上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间 参照Datasheet Datasheet范围内
√ CTR(Current-Transfer Ratio) 参照Datasheet Datasheet范围内
√ 测试方法
参数/项目 设备 条件 方法 CTR(Curremt-Transfer Ratio) 2410数字源表,万用表 参照Datasheet VCC输入额定直流电压,用万用表mA档分别测量IF和IC处电流 发光二极管正向压降VF 2410数字源表 参照Datasheet 用数字源表测试,电流设为IF (参照Datasheet),测试CA和AN端电压VF。 反向电流IR 2410数字源表 参照Datasheet 用数字源表测试,设置电压为VR(参照Datasheet),反向接入电压输入,测试CATHODE和ANODE端的电流。 输入级与输出级之间的绝缘电阻 高精度万用表 参照Datasheet 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO 2410数字源表 参照Datasheet 用2410电流源测试,在输出端加上反向电流IC(ICEO100nA)。 集电极-发射极饱和压降VCE(sat) 2410数字源表 参照Datasheet 用2410电流设为20mA,正极接在AN端,负极接在CA端,另一个2410电流设置为1mA,保护电压设置为0.2V,显示设置为电压输出(参数根据不同芯片Datasheet设定)正极接COLLECTOR,负极接EMITTER,观察数字源表的示数。 上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间 示波器和信号发生器 参照Datasheet 使用信号发生器产生5-0V方波,频率50KHZ(参照Datasheet),输入到ANODE和CATHODE端,电压源产生2V的电压,示波器的通道1接输入端,通道2接输出端。观察波形,判断Tr是否在规定范围。 案例
1、高速光电耦合器(以下的测试中将以PC187芯片为例)
(1)PC187简介
制造商 产品种类 封装/箱体 通道数量 SHARP 高速光耦合器 PDIP-4 1
图一:原理及管脚分配图
(2)测试参数及方法
1)电流传输比测试:
VCC输入额定直流电压(10V),IF端输入额定电流,用万用表mA档分别测量IF和IC处电流,计算是否在规定范围。
2)最大正向二级管电压测试:
用电流源测试,电流设为IF (一般为20mA),正极接在PIN1,负极接在PIN2,测试输出电压VF:范围(不能大于1.4V)
3)输入端反向漏电流测试
用电压源在输入端(PIN12)加反向电压(按该器件的标准条件),测电流,电流小于最大反向漏电流IR:Reverse Leakage Current(10uA)
4)输出端击穿电压测试:
用2410【1】电流源测试,在输出端加上反向电流IC(
图二:波形图
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