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两级CMOS运算放大器设计与spectrum仿真
LAB2 两级CMOS运算放大器的设计 图 1两级CMOS运算放大器
一:基本目标:
参照《CMOS模拟集成电路设计第二版》p223.例6.3-1设计一个CMOS两级放大器,满足以下指标:
相位裕度:
为什么要使用两级放大器,两级放大器的优点:
单级放大器输出对管产生的小信号电流直接流过输出阻抗,因此单级电路增益被抑制在输出对管的跨导与输出阻抗的乘积。在单级放大器中,增益是与输出摆幅是相矛盾的。要想得到大的增益我们可以采用结构来极大地提高输出阻抗的值,但是结构中堆叠的MOS管不可避免地减少了输出电压的范围。因为多一层管子就要至少多增加一个管子的过驱动电压。这样在结构增益与输出电压范围相矛盾。为了缓解这种矛盾引进了两级运放,在两极运放中将这两点各在不同级实现。如本文讨论的两级运放,大的增益靠第一级与第二级相级联而组成,而大的输出电压范围靠第二级这个共源放大器来获得。 电源电流 100Μa 工作温度范围 0~70° 特性 要求 增益 增益带宽 5MHz 建立时间 摆率 ICMR CMRR 60dB PSRR 60dB 输出摆幅 输出电阻 无,仅用于容性负载 失调 噪声 100(1kHz时) 版图面积 5000 表1 典型的无缓冲CMOS运算放大器特性
二:两级放大电路的电路分析:
图中有多个电流镜结构,M5,M8组成电流镜,流过M1的电流与流过M2电流,同时M3,M4组成电流镜结构,相同的结构使得在x,y两点的电压在Vin的共模输入范围内不随着Vin的变化而变化,为第二极放大器提供了恒定的电压和电流。图1所示,Cc为引入的米勒补偿电容。 0.5um Double Poly Mix CMOS process model 工艺参数 NMOS 0.7016 1.28E-8 404.257 PMOS -0.9508 1.24E-8 219.5 单位
表3 一些常用的物理常数
常数符号 常数描述 值 单位 室温下 自由空间介电常数 二氧化硅的介电常数 利用表2、表3中的参数
计算得到
第一级差分放大器的电压增益为:
(1)
第二极共源放大器的电压增益为
(2)所以二级放大器的总的电压增益为
(3) 相位裕量有
要求60°的相位裕量假设RHP零点高于10GB以上
所以 即
由于要求的相位裕量
可得到=2.2pF
因此由补偿电容最小值2.2pF,为了获得足够的相位裕量我们可以选定Cc=3pF考虑共模输入范围:
在最大输入情况下,考虑M1处在饱和区,有
(4)
在最小输入情况下,考虑M5处在饱和区,有
(5)
而电路的一些基本指标有
(6)
(7)
(8)
(9)
CMR:
正的CMR (10)
负的CMR (12)由电路的压摆率得到
=(3*10-12)()10*106)=30(为了一定的裕度,我们取。)则可以得到,
下面用ICMR的要求计算(W/L)3
11/1
所以有==11/1
由,GB=5MHz,我们可以得到即可以得到
用负ICMR公式计算由式(12)我们可以得到下式
如果的值小于100mv,可能要求相当大的,如果小于0,则ICMR的设计要求则可能太过苛刻,因此,我们可以减小或者增大来解决这个问题,我们为了留一定的余度我们等于-1.1V为下限值进行计算
则可以得到的进而推出
即有
为了得到60°的相位裕量,的值近似起码是输入级跨导的10倍(allen书p.211例6.2-1),我们设,为了达到第一级电流镜负载(M3和M4)的正确镜像,要求,图中x,y点电位相同
我们可以得到
进而由我们可以得到直流电流
同样由电流镜原理,我们可以得到
三:指标的仿真和测量电路基本元件的网表
.libc:\synopsys\h05mixddst02v231.lib tt
m1 x vin vn vss mn w=2u l=1u
m2 y vin vn vss mn w=2u l=1u
m3 x x vdd vdd mp w=11u l=1
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