北航第二次光电子实验报告.docxVIP

光电子实验报告  光敏二极管特性测试 测量暗电流 选取电源电压U=12V，可变电阻R=102.40Ω，测得暗电流I=0.2μA。 可知其等价暗电阻为R暗≈60MΩ。 测量二极管的伏安特性 由于其光强与调节器旋转圈数有关，下面实验均用光照调节器的旋转圈数代替光强。 弱光下（5圈）输入电压/V24681012U/mV13.03313.46413.7914.05614.28914.469R/kΩ111111I/uA141516161616 中光下（8圈）输入电压/V24681012U/mV28.93529.87530.55831.12831.60632.052R/kΩ111111I/uA30313232.53333 强光下（10圈）输入电压/V24681012U/mV40.72242.09643.06843.87844.57245.182R/kΩ111111I/uA424445464747 由实验数据可知，当光强越大时，饱和电流越大，到达饱和电流的电压也越大。 3.测量二极管的光照特性 输入电压4V照度/r00.511.522.533.5UR/mV0.5070.7121.1041.7682.5963.8045.5146.855I/uA1122.53458照度/r44.555.56.57.58.5UR/mV8.65910.89213.0615.61720.99327.2332.831I/uA9121416.52228.534输入电压8V照度/r00.511.522.533.5UR/mV0.5260.7351.151.8452.7153.9765.3647.191I/uA1122.53.545.58照度/r44.555.56.57.58.5UR/mV9.04911.39713.64116.31221.84827.84734.221I/uA10121517.523.52935.5输入电压12V照度/r00.511.522.533.5UR/mV0.540.751.1761.192.8054.1055.5367424I/uA11233.54.568照度/r44.555.56.57.58.5UR/mV9.3411.75114.07316.83122.5228.70535.244I/uA10.512.515.518.5243036.5 光照度越高，输入电压越高，二极管线性越好 光电池特性测试 1.测量光电池的光强与光电流的关系 R=1kΩ照度/圈0246810I/uA1320.632.375.1141.3225.2R=0.75kΩ照度/圈0246810I/uA1320.750.7106.1179.6241.2R=0.5kΩ照度/圈0246810I/uA1320.550.6106.3181.5256.3R=0.25kΩ照度/圈0246810I/uA13.120.950.8106.5181.9265.3 显然当电阻越小，光强与光电流的线性关系越好。 2.光电池光电特性测量 此处所用光源为环境光。 照度/圈012345Uc/V0.3330.3370.3470.3610.3740.386照度/圈678910Uc/V0.3960.4040.410.4160.42 随着光照的增加，光电压趋于饱和。 光电池光照特性测量 R=10kΩ照度/圈00.511.522.533.5UR/mV27.720.344.379.3130.6191.4241.2I/uA00359142025照度/圈45678910UR/mV271.2299.7316327.2335.4342347.5I/uA283133