学习过程中遇到的图问题剖析.doc

远距离信号走电流比走电压好 在不得已要远距离拉线时，走电流信号比走电压信号效果要好，电压信号线受到的干扰比电流信号线受到的干扰要大，稍候附图加以补充。 如图所示，假设在版图上N1和P2相隔比较远，需要走一段比较远的距离，这时候可以有两种选择，一种是将P0，P1，P2画在一起，N1的漏通过长金属连接到P0的源漏，P1P2的栅，这称为电流传送，因为长金属中流过的是电流信号。还有一种，是将N1P0P1画在一起，然后通过一段较长的金属将P0P1的栅和P2的栅连接在一起，这称为电压传输，因为长金属中传送的是电压信号。 假设长金属在传送过程中，均受到线侧壁电容耦合过来的噪声电压，分别用Nv1和Nv2来模拟，可以看到，电压传送模式中Nv2直接影响P2的栅压，使其电流发生变化，而电流传送模式中Nv1虽然使得N1的漏电压发生变化，但P0的栅压只跟N1电流有关，P2仍复制N1的电流，受到的影响明显比前一种画法要小。 完。 信号线的动静相间 动态信号线，如时钟线，快速变化的数据线如果靠得太近，线与线间的侧壁电容会大于我们的想像，由此电容耦合产生的干扰是比较严重的干扰。如果动态信号线两侧都是静态信号线，甚至是地线，或电源线，它们受到的干扰就会小得多，尤其是两侧用同层金属的地线夹住，会起到明显的保护作用。在条件不允许的情况下，比如地方不够，两边没有办法拉出两根地线，则尽量做到动态信号线和静态信号线相互交叠的方式走线。比如，一根时钟线，旁边是一根运放的偏置电流线，再旁边是一根动态信号线，再旁边又是一条偏置电流线，这样的效果比时钟线和动态信号线并排走要好。 走电流信号比走电压信号更好。 数字模块和模拟模块的电源隔离 数字地和模拟地都连接在衬底上，没有办法做到真正的隔离，唯一可采取的措施在于拉远两者地的距离。数字地的diff都可以打细一些，金属保持足够的宽度，以减少与analog之间的串扰。 电源圈顺序 为保险起见，不管是analog还是digital，电源圈都是地在外，电源在内。 混合信号芯片的电源圈顺序 混合信号集成电路中模拟部分和数字部分都要围两圈电源和地，有时候在数字和模拟之间要再加上一圈地，这样，从数字的core到模拟的core之间一共是隔了五条宽线。按照一般的画法，模拟部分是电源放在内圈，地放在外圈，数字部分也是一样，都是地放在外圈。但是为了使电源和地之间的寄生电容更大，有时候需要这五条宽线的电源地交错出现，因此，电源和地谁在外谁在内也可以作适当调整。但一般来说，是应该地在外圈，电源在内圈。如果对数字部分不放心，可将其多围几圈围得像水桶一样，这样更稳妥。 Digital电源线用多宽 SE没有电源分析功能，如果用SE作PR，电源线的宽度要自己人为估计，是否够用也只能根据经验主观判断，工具也没有办法验证电源的线宽是否够用。因此，对数字PR的线宽有一个基本的概念还是很重要的。根据一般情况，digital部分的电源线宽度约为digital部分总面积的1/100比较合适。比如，对于2000um*2000um的数字电路来说，电源线的宽度设为20um就比较合适，digital部分中间根据需要拉一些strip，strip的宽度可以适当减小一些，比如设为10um或者8um。对于0.5um工艺，每隔800um设一条strip比较合适。 这些数据都是比较粗糙的估计，对于具体的项目，就有具体的应对，粗一点细一点都没有太大的影响 CMOS工艺中浮阱的处理 为避免沟道调制效应，有些MOS管的衬底和源接在一起，如果这时MOS的源不在电源或地方，则衬底需要一个单独的阱，称为浮阱。在我所见的工艺中，整片P衬底是连成一片的，所以浮阱只限于N阱。浮阱需要单独的地围起来，这圈地不能再围其它不同电位的浮阱，稳妥的做法是浮阱边缘n阱以内打一圈n?substreate?ring接源极，再在外圈p衬底上打一圈p?substrante接地，之外再打一圈n?substrate?ring接电源，即形成三圈guard?ring，这样就最好了。不过在实际项目中，没有做三圈ring的投片回来的东西也没有问题。在不允许的条件下，也可不打三圈ring，但不同电位的浮阱是不能放在同一个gnd?ring中的。 宽metal开槽的两个解释 在0.5um工艺中，金属线宽超过30um，长超过500um中间要求开槽，这是为什么呢？有机械的和电气的两方面的原因。机械方面，金属太宽，生产出来后更容易发生形变，容易“翘”起来，损坏芯片，这和我们的常识一致，开槽后，金属条局部变细，不容易“翘”起来。电气方面，宽金属中电流在电流的时候都是趋向在边缘流动的，金属中央的电流小，参考本站转载的“趋肤效应”一文。因此，开槽后有效增加了电流的流通途径，减少了金属被电子撞断（电迁移）的危险。这个原理也解释为什么金属和金属之间的via要打