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现代集成电路工艺原理练习题 一、填空题 1、;，如锗和硅；二是 半导体材料，如砷化镓材料；三是 类：如蓝宝石和尖晶石。 2、 3、4、 5、963年，林华德（.Lindhard）等首先确立了注入离子在靶内的分布理论，简称为LSS理论，在实际应用中得到了满意的结果。 LSS理论认为，注入离子在靶内的能量损失可描述为两个彼此独立的过程： （二、单项选择题 1、2、A.NMOS和PMOS共同构成的互补型集成电路 B.N型半导体和P型半导体共同构成的互补型集成电路 C.只要在集成电路中有NMOS和CMOS 等均叫CMOS集成电路 D.CMOS是指另一种新同MOS管。 3、4、、A.金 B.银 C. 铜 D.铝 7、扩散就是一种原子、分子或离子在高温驱动下由高浓度区向低浓度区运动的过程，因而（ ）。 A.只有气态才能扩散 B.只有液态才能扩散 C.只有固态才能扩散 D.气态、液态、固态都能扩散 8、实验表明，从氧化速率上相比，干氧氧化所制备的SiO2体层的氧化速率比湿氧氧化的方式所制备的SiO2体层的氧化速率（ ）。 A．高 B.低 C.等于 D.不大于 9、二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（ ）。 （1）对杂质的掩蔽作用 （2）对器件表面的保护和钝化作用 （3）用于器件的电绝缘和电隔 （4）作为器件的介质材料 （5）作为MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 Ａ.（1）（2） B.（1）（2）（3） C.（1）（2）（4））三、简题（）MOS器件。请简述使用多晶硅材料作为器件低阻栅电极的好处。 2、高温扩散过程中的恒定表面源扩散与有限表面源扩散两种扩散条件主要区别在哪里？ 3、请叙述出离子注入掺杂技术与常规热扩散掺杂技术的不同之处。 4、简述硅集成电路平面制造工艺流程中常规光刻工序的工艺步骤。 5、集成电路工艺过程中实现选择性扩散是依靠何种工艺手段来实现的？ 6、薄膜汽相淀积制备工艺大体上分为哪几类工艺方式？ 第2页，共2页 第1页 共2页