电力电子考前复习要点.docVIP

第二章 电力电子器件 2.1 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才能使它具有耐受高电压和大电流的能力？ 解：1. 电力二极管是垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，提高通流能力 2.电力二极管在P区和N区多了一层低掺杂区，可以承受很高的电压而不致被击穿；3.具有电导调制效应。 2.2 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK 0且UGK0 2.3 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 2.4 图2－27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值Id1,Id2,Id3与电流有效值I1，I2，I3 解:a) Id1= I1= b) Id2= I2= c) Id3= I3= 2.5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少? 解:额定电流IT(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) Im1A, Id10.2717Im189.48A b) Im2 Id2 c) Im3=2I=314 Id3= 2.6.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答: GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： l)GTO在设计时较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断; 2)GTO导通时的更接近于l,普通晶闸管,而GTO则为，GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件; 3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 2.11 .试列举你所知道的电力电子器件，并从不同的角度对这些电力电子器件进行分类。目前常用的控型电力电子器件有哪些? 解：1. 按照器件能够被控制的程度，分为以下三类： （1）半控型器件：晶闸管及其派生器件 （2）全控型器件：IGBT,MOSFET，GTO,GTR （3）不可控器件:电力二极管 2. 按照驱动信号的波形（电力二极管除外） （1）脉冲触发型：晶闸管及其派生器件 （2）电平控制型：（全控型器件）IGBT,MOSFET，GTO,GTR 3. 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类： （1） 单极型器件：电力MOSFET，功率SIT,肖特基二极管 （2） 双极型器件：GTR,GTO,晶闸管，电力二极管等 （3） 复合型器件：IGBT,MCT,IGCT等 4.按照驱动电路信号的性质，分为两类： （1）电流驱动型：晶闸管，GTO，GTR等 （2）电压驱动型：电力MOSFET,IGBT等 第3章 整流电路 3..1.单相半波可控整流电路对电感负载供电,Z =20mH,U2=100V,求当时和时的负载电流Id,并画出Ud与Id波形。 解: 时,在电源电压U2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。在电源电压U2的负半周期,负载电感L释放能量,晶闸管继续导通。因此,在电源电压U2的一个周期里,以下方程均成立: 考虑到初始条件：当时id=0可解方程： Ud与Id的波形如下图： 当a=时,在U2的正半周期~期间, 晶闸管导通使电惑L储能,电感L储藏的能量在U2负半周期~期间释放,因此在U2的一个周期中~期间，以下微分方程成立： 考虑到初始条件：当时id=0可解方程得： id= 其平均值为 Id= 此时Ud与id的波形如下图： 3.3.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2,L值极大当=时, 要求:①作出Ud、Id、和I2的波形; ②求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有