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第二章三极管练习题 一、填空题： 1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。 2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN结，即______和______。 3.三极管是___________控制器件，场效应管是 控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用 等效电路分析法。 5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=6.5V,U2=V,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。________、___________和__________。 7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。 8．场效应管同 三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。 11.在正常工作范围内，场效应管 极无电流 12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和_________。 13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。 14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。 15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。 16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置 。 二、选择题： 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。 A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区，要求（??? ）A、发射结正偏，集电结正偏???????? B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏????????? D、发射结反偏，集电结反偏3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域？（ ） A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ） A．饱和区 B．截止区 C．放大区 D．击穿区 5.三极管参数为PCM=800mW, ICM=100mA, UBR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（ ）属于正常工作。 A．UCE=15V，IC=150 mA B．UCE=20V，IC=80 mA C．UCE=35V，IC=100 mA D．UCE=10V，IC=50mA 6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ） A VC=0.3V，VE=0V， VB=0.7V B VC=-4V， VE=-7.4V，VB=-6.7V C VC=6V， VE=0V， VB=-3V D VC=2V， VE=2V， VB=2.7V 7.如果三极管工作在截止区，两个PN结状态（ ） A．均为正偏 B．均为反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏 8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID主要取决于（ ） A、栅极电流 B、栅源电压 C、漏源电压 D、栅漏电压。 9.场效应管是一种（ ）器件 A、电压控制 双极型 B、电压控制 单极型 C、、电流控制 双极型 D、电流控制 单极型、 10. 有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是VC=6V，VB=0.7V，VE=1V则晶体管工作在（ ）状态。 A、 放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 11、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为( ) 。 A. 83 B. 91 C. 100 12、工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（ ） A．ＵC UB UE B。ＵC UB UE C。UB ＵC UE D。ＵC UE UB 13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS管 （ ） A． B。 C。 D。 14、UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有( ) 。