AT单片机原理及应用C语言(海涛)ATmega的内部结构及接口特点说课.ppt

表2.11 端口状态配置 2.9.3 配置引脚 每个端口引脚都具有三个寄存器位: DDxn、 PORTxn 和PINxn。DDxn 位于DDRx 寄存器， PORTxn 位于PORTx 寄存器，PINxn 位于PINx 寄存器。 注意： DDxn 用来选择引脚的方向。DDxn 为“1” 时， Pxn 配置为输出，否则配置为输入。 引脚配置为输入时，若PORTxn 为“1”，上拉电阻将使能。如果需要关闭这个上拉电阻，可以将PORTxn 清零，或者将这个引脚配置为输出。 复位时各引脚为高阻态，即使此时并没有时钟在运行。 3、EEPROM 数据寄存器 － EEDR ? Bits 7..0 – EEDR7.0: EEPROM 数据 对于EEPROM 写操作，EEDR是需要写到EEAR单元的数据；对于读操作，EEDR是从地址EEAR读取的数据。 4、 EEPROM 控制寄存器－ EECR ? Bits 7..4 – Res: 保留 ? Bit 3 – EERIE: 使能EEPROM 准备好中断 ? Bit 2 – EEMWE: EEPROM 主机写使能 ? Bit 1 – EEWE: EEPROM 写使能 ? Bit 0 – EERE: EEPROM 读使能 下表为CPU访问EEPROM的典型时间 表2.1 EEPROM编程时间 8.5ms 8446 EEPROM写操作（CPU） 典型的编程时间 校准的RC振荡器周期数 符号 5、 在掉电休眠模式下的EEPROM写操作 若程序执行掉电指令时EEPROM 的写操作正在进行，EEPROM 的写操作将继续，并在指定的写访问时间之前完成。 6、 防止EEPROM 数据丢失 若电源电压过低，CPU 和EEPROM 有可能工作不正常，造成EEPROM 数据的毁坏( 丢失)。 EEPROM 数据损坏的问题可以通过以下方法解决： 当电压过低时保持AVR RESET信号为低。这可以通过使能芯片的掉电检测电路BOD来实现，如果BOD 电平无法满足要求则可以使用外部复位电路。 2.3.5 I/O 存储器 ATmega16所有的I/O及外设都被放置于I/O空间。所有的I/O位置都可以通过IN 与OUT指令来访问，在32个通用工作寄存器和I/O 之间传输数据。 地址为0x00 - 0x1F 的I/O 寄存器还可用SBI 和CBI 指令直接进行位寻址，而SBIS 和SBIC 则用来检查某一位的值。 2.4.1 时钟系统及其分布 2.4 系统时钟及时钟选项 1、CPU 时钟－ clkCPU 2、I/O 时钟－ clk I/O 3、Flash 时钟－ clkFLASH 4、异步定时器时钟－ clkASY 5、ADC 时钟－ clkADC 图2.11 时钟分布 0000 外部时钟 0100-0001 标定的内部RC振荡器 1000-0101 外部RC振荡器 1001 外部低频晶振 1111-1010 外部晶体/陶瓷振荡器 CKSEL3..0 器件时钟选项 2.4.2 时钟源 ATmega16 有如下几种通过Flash熔丝位进行选择的时钟源。 表2.2 时钟源选择 2.4.3 缺省时钟源 器件出厂时CKSEL =“0010”，SUT =“10”。这个缺省设置的时钟源是1MHz 的内部RC振荡器，启动时间为最长。这种设置保证用户可以通过ISP或并行编程器得到所需的时钟源。 图2.12 晶体振荡器连接图 图2.13 外部RC 配置 XTAL1 与XTAL2 分别为用作片内振荡器的反向放大器的输入和输出。 2.4.4 晶体振荡器 12-22 1.0≤ 101,110,111 0 12-22 3.0-8.0 111 1 12-22 0.9-3.0 110 1 - 0.4-0.9 101(1) 1 使用晶体时电容C1和C2的推荐范围(PF) 频率范围 CKSEL3..1 CKOPT 表2.4 晶体振荡器工作模式 表2.5 启动时间由熔丝位SUT确定和片内RC振荡器工作模式 8.0 0100 8.0-12.0 1000 4.0 0011 3.0-8.0 0111 2.0 0010 0.9-3.0 0110 1.0 0001(1) ≤0.9 0101 标称频率（MHz） CKSEL3..0 频率范围（MHz） CKSEL3..0 片内标定的RC振荡器工作模式 启动时间由熔丝位SUT确定 ? Bits 7,5,4– SM2..0: 休眠模式选择位 2、1 和0 ? Bit 6 – SE: 休眠使能 为了使MCU 在执行SLEEP 指令后进入休眠模式，SE必须置位。 2.5 电源管理及睡眠模式 2.5.1 MCU 控制寄存器－ MCUCR 表2.6 休眠模式选择 扩展S