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PAGE  1 创新实践环节（论文） 题 目 氧化锌基薄膜晶体管必威体育精装版研究进展 姓 名 梁志翔 学 号 0910200c40 所在学院 电气与电子工程学院 专业班级 09电科1班 指导教师 周远明 日 期 2012年6月4日  摘要 ZnO基TFT被认为是最有可能取代当前大规模产业化的a-si：H TFT的下一代MOSFET，在最近几年受到广泛的关注。简单介绍了ZnO基TFT的结构、原理、各层材料的作用、要求和制造方法以及可靠性研究，包括时间、温度和可见光或紫外光辐照以及偏压作用对器件特性的影响方面的必威体育精装版进展，分析了实现产业化尚需克服的问题。 关键词：ZnO基薄膜晶体管；进展；产业化；MOSFET 目录  HYPERLINK \l _Toc326248132 摘要 引言  HYPERLINK \l _Toc326248133 1 ZnO基TFT的结构和工作原理  HYPERLINK \l _Toc326248136 2 ZnO基TFT的制造  HYPERLINK \l _Toc326248137 2.1 基片  HYPERLINK \l _Toc326248138 2.2 源、漏及栅电极的要求、材料选择及制备方法 2.3 ZnO基TFT栅介质的要求和制备方法 3 ZnO基TFT统计 4 半导体／栅介质界面的修饰 5 退火对ZnO基TFT性能的影响 6 光辐照对ZnO基TFT特性的影响 7 ZnO基TFT的偏压稳定性 8 ZnO基TFT国内外研究概况 9 ZnO基TFT存在的主要问题及其应用前景  HYPERLINK \l _Toc326248139 结论 参考文献 引言 半导体产业是当今信息化社会的支柱产业，而其中起放大以及开关作用的晶体管具有极为重要的地位。晶体管从最初简单的结型和点接触晶体管到现在大规模产业化的非晶硅薄膜晶体管(a-Si：HTFTs)已有80多年的历史。20世纪六、七十年代开发的CdS、CdSe薄膜晶体管虽在有源液晶显示器(AMLCD)获得应用，但由于硫化物有源层的不稳定和高昂的制作成本，没有获得有产业意义的突破。稍后开发的以硅基晶体管为代表的金属一氧化物一半导体晶体管(MOSFET)极大地推动了平板显示器特别是有源液晶显示器的产业化进程。当今，非晶硅薄膜晶体管由于性能稳定、工艺温度低和生产成本