模拟电子技术第9章分析.ppt

? 迟滞比较器的工作原理： – + vi vo R2 R1 vp 10k? 0.1k? VREF 1V 图9－16 单门限比较器+R1正反馈支路 当vo = +5V时， VT+ =1.04V= V1 ，即当vi 1.04V， vo翻转成–5V。 vo = –5V时， VT- =0.94V= V1? ，即当vi 0.94V， vo翻转成 +5V。 vn 64. 传输特性如下图 t t vo(V) vo(V) t –5 –5 –5 +5 +5 +5 o o o V1 图9－17 vo(V) V1：上限触发电平，此处为1.04V 下限触发电平，此处为0.94V VH：门限宽度或回差电压， 65. 比较器的特点： 1. 工作在开环或正反馈状态； 2. 输出与输入不成线性关系； 3. 输入是模拟量，输出电平是离散的。 (可作模拟电路与数字电路的过渡电路) 66. 设A为理想运放。其最大输出电压为?15V，稳压管DZ的双向稳压值VZ= ?6V， R1= R2=15k?， R3=30k?。 – + vi vo R3 A R1 R2 DZ 画出该电路的电压传输特性。 例9－4 电路如下图， 67. 解：在vo翻转时即临界时： v+= v–， iI= 0仍成立。 ? R3两端电压即DZ两端电压。 而临界时，v+= v– = 3V 临界时vO在– 9V～9V间， ? DZ上电压绝对值不足6V。 vi= v– = ? 3V 传输特性： vO(V) –9 9 3 –3 vi(V) 68. 二、方波发生器 – + C vo R2 图9－18 A R1 VZ1 R Rf VZ2 – + 1. 电路组成 RC电路：由Rf ，C 组成 迟滞比较器：除Rf ，C 以外部分， VZ1、VZ2：双向限幅； R：限流电阻 69. 2. 工作原理 t t vC vO 图9－19 C A B –VZ VZ ? 若合上电源, t=0时, vO= +VZ, VZ = VZ1 + VZ2 ? t ?, VZ经Rf向C充电, vC?, vC略大于FVZ, 电路翻转, vO= –VZ, V+= –FVZ, 如图A－B段. 70. R1 R2 Cb C C3 Re VCC ( + ) ( + ) ( + ) ( ) (b) 共基: 电感反馈式 32. R1 R2 Cb C C3 R3 VCC C (c) 共基: 电容反馈式 33. R1 R2 Cb C C3 R3 VCC C ( + ) ( + ) ( + ) ( ) (c) 共基: 电容反馈式 34. R1 R2 0.5μF C2 C3 R3 VCC 300pF 15/250pF 0.1μF 35. R1 R2 0.5μF C2 C3 R3 VCC 300pF 15/250pF 0.1μF ( + ) ( + ) ( + ) ( + ) ( ) 36. R1 R2 0.5μF Ce R3 VCC 300pF 0.1μF 37. R1 R2 0.5μF Ce R3 VCC 300pF 0.1μF ( + ) ( + ) ( + ) ( ) ( + ) ( ) 38. R1 R2 C1 C Ce R3 VCC C R4 39. R1 R2 C1 C Ce R3 VCC C R4 ( + ) ( + ) ( ) 40. 四、石英晶体振荡器 LC振荡器频率稳定度差，要求高频率稳定度场合用石英晶体振荡器。其频率稳定度 可达10–11。 1. 结构符号 从一块晶体(sio2)上切下一薄片，在其表面涂银装上一对金属板，其符号如图9－8(a)。 41. 2. 等效电路如图9－8(b) C0：几pF ~ 几十 PF. 为金属与切片间电容 C：0.0002pF ~ 0.01pF. 模拟晶体的弹性 L：模拟晶体的质量 R：损耗 C L R C0 (b) 晶体 (a) O X ? 容性 ?s ?P (c) 图9－8 42. 43. ? 当 x = 0，发生串联谐振。 串联谐振频率 ? 当 x = ? ，发生并联谐振。 并联谐振频率 3. 电抗频率响应特性如图9－8(c) 44. ? 由于C0C，? fs和fp相差很近。 ? fs f fp ，X 0，晶体呈感性。 ? 谐振频率不能调节，往往加一可调电容Cs. f fs 或 f fp ，晶体呈容性。 电路的阻抗 谐振频率f ?： fs f ? fp 晶体 Cs 图9－9 45. 4. 应用 ? 并联晶体振荡器 – + Cs C1 C2 晶体 晶体起电感的作用，属于电容三点式LC振荡电路 振荡频率 fs f ? fp 图9－10 46. ? 串联晶体振荡器 a. 设某一时刻T1的