单片机项目十二研讨.ppt

void?WR_Bit(bit?i)? {? DQ=0;//产生写时序 ?? _nop_();? _nop_();//总线拉低持续时间要大于1us? DQ=i;//写数据，0和1均可 ? DelayX10us_DS18B20(6);//延时60us，等待ds18b20采样读取 DQ=1;//释放总线 }? 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 /************************************? 函数：WR_Byte? 功能：DS18B20写字节函数，先写最低位 参数：dat为待写的字节数据 返回：无 说明：无 *******************************************/? void?WR_Byte(unsigned?char?dat)? {? unsigned?char?i;? for(i=0;i8;i++) {? WR_Bit(dat0x01);//从最低位写起 ?? dat=1;?//注意不要写成dat1? }? } 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 void?WR_Byte(unsigned?char?dat)? {? unsigned?char?i;? for(i=0;i8;i++) {? WR_Bit(dat0x01);//从最低位写起 ?? dat=1;?//注意不要写成dat1? }? } 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 读时序图 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 ?DS18B20读逻辑0的步骤如下： （1）在读取的时候单片机拉低电平大约1us? （2）单片机释放总线，然后读取总线电平。 （3）这时候DS18B20会拉低电平。 （4）读取电平过后，延迟大约40~45微秒 ? 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 DS18B20读逻辑1的步骤如下： （1）在读取的时候单片机拉低电平大约1us? （2）单片机释放总线，然后读取总线电平。 （3）这时候DS18B20会拉高电平。 （4）读取电平过后，延迟大约40~45微秒 ?由时序图可知，DS18B20只有在主机发出读时序时才能发送数据到主机。因此，主机必须在BE命令，B4命令后立即产生读时序以使DS18B20提供相应的数据。另外，在44命令，B8命令后也要产生读时序。 所有的读时序必须至少有60us的持续时间。相邻两个读时隙必须要有最少1us的恢复时间。 所有的读时隙都由拉低总线，持续至少1us后再释放总线（由于上拉电阻的作用，总线恢复为高电平）产生。 DS18B20输出的数据在下降沿产生后15us后有效。因此，释放总线和主机采样总线等动作要在15us内完成。 ? 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 ?满足以上要求的函数为： ?/************************************? 函数：Read_Bit? 功能：向DS18B20读一位数据 参数：无 返回：bit?i? 说明：总线从高拉到低，持续至1us 以上，再释放总线为高电平空闲状态产生读时序? *******************************************/ ? 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 unsigned?char?Read_Bit()? {? unsigned?char?ret;? DQ=0;//拉低总线 _nop_();?_nop_();?? DQ=1;//释放总线 _nop_();?_nop_();? _nop_();?_nop_();? ret=DQ;//读时序产生7us后读取总线数据。把总线的读取动作放 在15us时间限制的后面是为了保证数据读取的有效性 DelayX10us_DS18B20(6);//延时60us，满足读时隙的时间长度要求 DQ=1;//释放总线?? return?ret;?//返回读取到的数据 }? 项目十二 串行总线扩展及应用设计 任务五：单总线数字温度传感器DS18B20 /*************************************? 函数：Read_Byte? 功能：DS18B20读一个字节函数，先读最低位 参数：无 返回：读取的一字节数据 说明：无? ******