电感器的设计与电感器技术指标概述.docx

电感器 变压器 新晨阳 电感器的设计 一种小型平面变压器/电感器的设计详细介绍　 1.引言 　　随着电子信息技术的飞跃发展，各种电子设备已步入SMT(Surface mounting technology)时代，电子设备越来越要求轻、薄、小型化。传统的功率型电子变压器、电感器虽然在电子管、分立式晶体管时代起过重要作用，而在今天模块化电子设备中，因体积过大而无法应用，如何研制出小型平面电子变压器、电感器是目前设计人员关注的热点。本文阐述了采用多层印制板制造技术、数控机床加工技术、表面涂覆技术和利用高频低损耗铁氧体磁芯设计和制造了230kHz、达120W的小型平面变压器和20A、10μH的大电流滤波电感器。 　　2.电路形式和变压器、电感器的技术指标 　　图1为有源箝位/复位单端正激变换器的主电路。该电路具有零电压转换功能，有利于提高效率和降低EMI/RFI。 　 新晨阳 电感器 　 　　该电路由VQ2、VD2和Ccl组成箝位电路，为漏感L1及励磁电感Lm的储能转移提供一个低阻工作通路，VQ2导通后Ccl继续被充电，箝位电路电流以谐振方式减小。因整流管VD1截止，L1与Lm呈串联连结，谐振频率由L1、 Lm及Ccl决定，故对变压器初级有一定的电感量要求。 　　另外，该电路VQ1截止后，变压器绕组电压极性反转，Ca被充电，充电过程中，磁化电流逐渐减小，通过适当选取参数，达到在磁化电流过零点前开通VQ2,为磁化电流改变方向提供了可能，磁化电流反向后，箝位电压Ucl反向加到变压器初级绕组，驱动变压器B-H工作区域延伸到第二象限和第三象限。同时，Ccl电容储能泄放转移至L1及Lm储存。VQ1导通后B-H工作点从第三象限开始，正常工作区域基本与B-H轴原点对称，在该对称区域表现为：B-H单向变化数值与传统单端正激变换器是一致的。为维持输出正常调节，施加相同伏-秒积数到变压器，产生的铁芯损耗相对于单端正激变换器是一致的。实际工作时，应选取最大工作磁通密度(Bm),变压器可工作于- Bm～+Bm，由此△B=2Bm,如图2。 　 新晨阳电感器工作曲线图。 　　电路中T1为我们需要设计的变压器，工作频率f=230KHz，输入电压Vin=230V，初级电感量Lm=117μH±10%，最大工作比0.45，输出电压Vo=5V，输出电流Io=20A，Lo为滤波电感，Lo=10μH，工作环境温度为-45℃～50℃，温升≤50℃，试验电压2KV，变压器、电感器高度≤12mm,长、宽均在40mm左右。 　　3.平面变压器、电感器磁芯及结构形式 　　3.1 磁芯 　　现阶段用于功率型开关变压器的磁性材料有：坡莫合金、非晶态合金、超微晶合金、铁氧体等多种材料。选择铁氧体材料制作磁芯，出于对有效空间的充分利用，又必须选择芯柱较粗、窗宽较阔的磁芯，这样才有利于减少匝数和降低电流密度。鉴于整体高度的限制，还需进行必要的加工。 　　3.2 绕组 　　传统的绕组将线圈绕在骨架上，并且导线都是圆形截面，加之工作于高频，导线流过高频交变电流时，其还受集肤效应穿透深度△的限制，计算公式为 　 　　式中 △为穿透深度(mm)，ω为角频率，ω=2πf(rad)。μ为导线磁导率(H/m)，γ为导线导电率(S/m)。 　　铜的相对磁导率等于1，即为真空磁导率，则 将此代入上式可简化为? 　　  　　式中 f=230KHz 则可用导线直径2△=0.275mm。故一般在大电流情况下变压器绕组都采用多股线绕制，这都会使磁芯窗孔利用率大大降低。我们决定小电流的初级绕组和辅助绕组分别用多层印制板和双面板制造，高达20A的次级绕组和滤波电感绕组采用具有矩形截面的折叠铜带制造，以使窗孔得到最有效地利用。 　　4. 变压器设计 　　4.1 由功率传递能力确定磁芯尺寸 　　变压器的功率传递能力取决于磁芯柱的面积与窗孔面积之乘积Ap值 　　式中：Pt为变压器初、次级功率之和，变压器效率较高时可取2倍的输出功率。Kj为磁芯的结构常数，其值在365～632之间，我们取450。△B为增量磁感应强度，根据电路△B=2Bm, Bm取0.1T，则△B =0.2T。f为工作频率230 KHz。Ku为窗口利用率，在0.3～0.4之间。Kf为波形系数，矩形波取4，正弦波取4.44。 　　将以上数据代入计算得 　　AP=0.6855～1.1638之间。 　　我们经过反复比较和计算，选择了PQ40型磁芯，并磨制成我们需要的尺寸。如图3，其AP值仅为0.69。 　　 新晨阳 电感器 　　4.2 绕组 　　(1)初级匝数计算 　　 　　式中 　　Up1为变压器输入电压的最小幅值230V，△B为增量磁感应强度0.2T，α为最大工作比0.45，Sc为磁芯截面积1.74mm2。