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Ta镀膜工艺简介;PVD和CVD;PVD;CVD;CVD薄膜生长过程; CVD条件与影响因素;CVD分类;
通常CVD的反应温度范围分为低温（200-500 ℃）、中温（500-1000 ℃）、高温（1000-1300 ℃）；
中温CVD的反应温度500-800℃，通常通过金属有机化合物在较低温度的分解来实现，也叫金属有机化合物CVD（MOCVD）；
等离子体增强CVD（PCVD）、激光CVD（LCVD）中化学反应被激活可使温度降低。
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