磁阻效应大物实验剖析.ppt

五、实验内容 1、在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下，测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。作ΔR/R(0)～B和ΔR/R(0)～B2的关系曲线，并进行曲线拟合。找出B0.06T和B0.12T两个区间ΔR/ R（0）与B的函数关系。（实验时注意GaAs和InSb传感器工作电流应调至1mA）。 2、用磁阻传感器测量一个未知的磁场强度，与毫特计测得的磁场强度相比较，估算测量误差。 5、将继电器K1接线柱的下面两端与继电器K2接线柱的下面两端相连，红导线与红接线柱相连，黑导线与黑接线柱相连。如图4所示。 6、将锑化铟（InSb）磁阻传感器（蓝、绿引出线）的两端与工作电流切换继电器K1接线柱的下面两端相连，红的香蕉插接红接线柱，黑的香蕉插接黑接线柱。即蓝引出线接至红接线柱，绿引出线接至黑接线柱。如图4所示。 7、砷化镓（GaAs）霍尔传感器的的四引出线按线的长短已分成两组，红、棕为一组（为工作电流输入端），黄、橙为一组（为霍尔电压输出端），红、棕这一组线接至工作电流切换继电器K1接线柱的上面两端，黄、橙这一组线接至输出信号切换继电器K2接线柱的上面两端。红的香蕉插接红接线柱，黑的香蕉插接黑接线柱，如图4所示。 8、确认接线正确完成后，打开交流电源，将信号源及测试架的切换开关都处于按上状态，这时将测试架上取出的霍尔电压信号输入到信号源，经内部处理转换成磁场强度由表头显示。 9、调节Is调节电位器让Is表头显示为1.00mA，然后调节IM=0mA，记下零点误差B0=？mT。 10、调节IM使磁场强度显示为B=（10+B0）mT，（20+B0）mT......按下信号源及测试架上的切换开关，测量并记录该磁场强度下对应的磁阻电压。注意：这时的Is表头显示应为1.00mA。参考表1。【B在100mT以内每增加10mT测一组数据，大于100mT后每增加50mT测一组，直到500mT附近为止】。 11、根据表一所记录的数据在整个区间作出ΔR/R(0)～B曲线并在B0.06T区间作 ΔR/R(0)～B2曲线，并在B0.06T和B0.12T两个区间分别给出： ΔR/R（0）=f（B）。 13、调节IM=0.300A, Is=1.00mA电流，使电磁铁产生一个未知的磁场强度。测量磁阻传感器的磁阻电压，求R（B）后得ΔR/ R（0）=[R（B）－R（0）]/R（0）并从ΔR/R(0)～B曲线上求得磁场强度B. 14、用仪器所配的毫特计测量该磁场强度，将测得的磁场强度作为准确值与磁阻传感器测得的磁场强度值与相比较，估算相对误差E。 七、仪器使用注意事项 1、需将传感器固定在磁铁间隙中，不可将传感器弯折。 2、不要在实验仪附近放置具有磁性的物品。 3、加电前必须保证测试仪的“Is调节”和“IM调节”旋钮均置零位（即逆时针旋到底）。 4、严禁在励磁线圈加电后插拔励磁电流连线！因为此时会有极强的感应电压，可能损坏仪器。如需插拔励磁电流连线，应将励磁电流调至最小，再关闭交流电源，才可进行插拔！ * 磁阻效应 一、实验背景 导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化这样一个规律，称为磁阻效应。利用磁阻效应制成的器件叫做磁阻器件。 磁阻器件有很多的优点：体积小、灵敏度高、抗干扰能力强等等。在导航、电流检测、磁性编码等方面有着十分广泛的应用。 锑化铟（InSb）传感器是一种价格比较低，但灵敏度比较高的磁阻器件，有着十分重要的应用价值。 二、实验目的 研究锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。 三、实验原理 如图：一半导体薄片放在磁感应强度为B的磁场中，（B的方向沿Z轴方向）在薄片的y轴方向通正向电流I，半导体的载流子将受洛仑兹力的作用发生偏转，在x方向积聚电荷产生霍尔电场。 根据霍尔效应，当霍尔电场作用和载流子的洛仑兹力作用刚好抵消qE=qvB，也就达到了稳定状态。此时满足：E=vB，E－霍耳电场，v－载流子的速度，B－磁感强度。 载流子的速度并不都一样，而是满足一定的统计分布，这里的v仅仅是一个最可几的速率。那么小于或大于该速度的载流子将向D或Dˊ偏转，这种偏转就会使得沿外加电场方向（y方向）运动的载流子数量减少，从而电阻增大，这种现象称为磁阻。 x y z B v + + + － － － I V D′ D qvB qE 磁阻效应通常用电阻率的相对变化量Δρ /ρ（0） 或电阻的相对变化量ΔR/R（0）来表示其大小。 通过实验可以证明，在一般情况下当金属或半导体处于较弱磁场中时，磁电阻的ΔR/R（0）正比于B的二次方，而在强磁场中ΔR/R（0）与B呈线性函数关系。 如果磁阻传感器处于角频率为ω的弱正弦交流磁场中，由于