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第五章 晶体结构与结晶;第一节 金属的晶体结构;（1）有确定的熔点;;;;三、3种典型的金属晶体结构;（一）体心立方晶格 bcc  （Body-centered cubic lattice）;晶格常数：a=b=c； ?=?=?=90?;（2）面心立方晶格 fcc （ Face-centered cubic lattice ） ;晶格常数：a=b=c； ?=?=?=90?;（3）密排六方晶格 hcp （ Close-packed hexagonal lattice ）;Structure;四、晶面与晶向;单晶体的各向异性;一、单晶体与多晶体 单晶体：其内部的晶格位向完全一致。如单晶Si半导体。 多晶体：实际上由多个晶粒组成的晶体结构称为“多晶体”。;对于单晶体，由于各个方向上原子排列不同，导致各个方向上的性能不同，即“各向异性”的特点； 多晶体对每个小晶粒具有“各向异性”的特点，而就多晶体的整体，由于各小晶粒的位向不同，表现的是各小晶粒的平均性能，不具备“各向异性”的特点。;晶格缺陷按其几何形式的特点，分为如下三类： 点缺陷(point defect): 原子排列不规则的区域在空间三个方向尺寸都很小。 空位、间隙原子、置换原子 线缺陷(linear defect ): 原子排列的不规则区在空间一个方向上的尺寸很大，而在其余两个方向上的尺寸很小。位错 面缺陷(plane defect): 原子排列不规则的区域在空间两个方向上的尺寸很大，而另一方向上的尺寸很小。 晶界、亚晶界、相界、层错;;（一）点缺陷;（二）线缺陷;螺位错;;（三）面缺陷;2) 亚晶粒的界面——亚晶界 一个晶粒内部并不是完全一致的，而是由一些取 向略有差异的小块所组成的，称之为亚晶粒，它们之间的界面叫亚晶界。 ;第三节 晶体的结构缺陷;第一节 点缺陷 一、类型 A 根据对理想晶体偏离的几何位置来分，有三类;B 根据产生缺陷的原因分;1、热缺陷：当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶格内原子热运动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷。 （1） Frankel缺陷 特点 —— 空位和间隙成对产生 ；晶体密度不变。 ;;（2） Schttky缺陷;;2 杂质缺陷 概念——杂质原子进入晶体而产生的缺陷。原子进入晶体的数量一般小于0.1%。 种类——间隙杂质 置换杂质 特点——杂质缺陷的浓度与温度无关， 只决定于溶解度。 存在的原因——本身存在 有目的加入(改善晶体的某种性能);3 非化学计量结构缺陷（电荷缺陷） 存在于非化学计量化合物中的结构缺陷，化合物化学组成与周围环境气氛有关；不同种类的离子或原子数之比不能用简单整数表示。如： ;;二、缺陷化学反应表示法;把离子化合物看作完全由离子构成（这里不考虑化学键性质），则在 NaCl晶体中，如果取走一个Na+ 晶格中多了一个e, 因此VNa 必然和这个e/相联系，形成带电的空位——;（2） 填隙原子：用下标“i”表示 Mi 表示M原子进入间隙位置； Xi 表示X原子进入间隙位置。 （3）错放位置（错位原子）： MX 表示M原子占据了应是X原子正常所处的平衡位置，不表示 占据了负离子位置上的正离子。 XM 类似。 （4）溶质原子（杂质原子）： LM 表示溶质L占据了M的位置。如：CaNa SX 表示S溶质占据了X位置。 （5）自由电子及电子空穴：;（6）带电缺陷 不同价离子之间取代如Ca2+取代Na+——Ca ·Na Ca2+取代Zr4+——Ca”Zr;2 书写点缺陷反应式的规则 （1）位置关系： 对于计量化合物（如NaCl、Al2O3），在缺陷反应式中作为溶剂的晶体所提供的位置比例应保持不变，但每类位置总数可以改变。