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练习3 场效应管及放大电路 场效应管是利用外加电压产生的________来控制漏极电流的大小的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 场效应管是________器件。 A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流 三极管是_________器件。 A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流 结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。 A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流 场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。 A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子 P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________。 A. 正值 B. 负值 C.vGS D. 零 N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________。 A. 正值 B. 负值 C. 零 P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。 A. 正值 B. 负值 C. 零 vGS 0时，不能工作在放大区的场效应管是________。 A. 结型管 B. 耗尽型MOS管 C. 增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管产生预夹断的条件是_________。 A. |vDS|≥|vGS-VP| B. vDS≥vGS–VT及vGS＞VT C. |vDS|≥|vGS-VT| D. vDS≥vGS–VP及vGS＞VP N沟道增强型MOS管产生预夹断的条件是_________。 A. |vDS|≥|vGS-VP| B. vDS≥vGS–VT及vGS＞VT C. |vDS|≥|vGS-VT| D. vDS≥vGS–VP及vGS＞VP 各种场效应管对电压vDS极性的要求由_________决定。 A. vGS的极性 B. 耗尽型还是增强型 C. 沟道的类型 结型场效应管中，外加电压vGS和vDS 的极性_________。 A. 无特殊要求 B. 必须相反 C. 必须相同 P沟道耗尽型MOS管中，外加电压vGS的极性为_________。 A. 正 B. 负 C. 可正可负 P沟道耗尽型MOS管中，外加电压vDS的极性为_________。 A. 正 B. 负 C. 可正可负 P沟道增强型MOS管中，外加电压vGS的极性为_________。 A. 正 B. 负 C. 可正可负 P沟道增强型MOS管中，外加电压vDS的极性为_________。 A. 正 B. 负 C. 可正可负 结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。 A. 正确 B. 错误 增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。 A. 正确 B. 错误 耗尽型MOS管不能采用自偏式方式。 A. 正确 B. 错误 下图所示电路中能进行正常放大的是电路_________。 A. a B. b C. c a b c 为使下图所示电路具有放大作用，必须_________。 A. 在源极加一电阻R B. 在栅极与Rg2间加一电阻Rg3 C. 去掉电阻Rg2 D. 将电源+VDD改为-VDD 电路如下图所示，其中 图 a 是___ _组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 图 b 是____组态。 A.共源-共射 B.共漏-共射 C.共漏-共集 D.共源-共集 a b 24. 两级放大电路的组成框图如下图所示，给你提供的元件有三级管 其 ? 100,rbe 1k ，场效应管 其gm 2ms ,Rc或Rd约为10k ，Re或R 源极电阻 约为1k 。信号源的频率范围为20Hz-10kHz。要求当信号源内阻Rs从1k 变到100k ，负载电阻RL从10k 变到1k 时， 且 ，同时希望 和RL的接入不影响该电路的静态工作点，电路的体积 、重量要小。 该电路应选用____耦合方式。 A.直接耦合 B.阻容耦合 C.变压器耦合 第一级放大电路应选用____组态。 A.共源 B.共射 C.共漏 D.共集 第二级放大电路应选用____组态。 A.共源 B.共射 C.共基 D.共集 练习3 场效应管及放大电路 B C D A B A B A C A B A B C B B B A B A C A B D C D