南航电子材料复习思考题1.doc

一、(每小题3分) (每题3分, 共9分) 4.1. 光折变效应 电光材料的折射率在空间调制光强或非均匀光强的照射下发生相应的变化的现象，称为光致折射率变化效应，简称光折变效应。 5.2. 本征吸收限 本征吸收通常是指带间吸收，即与能带和能带之间的电子跃迁有关的吸收。其特点是在不大的光谱范围内吸收系数突然增长。通常把吸收系数突然增至很大的光波长或频率称为半导体的本征吸收限。 6.1 电光效应 外加电场引起晶体折射率发生变化的效应，称为电光效应。 8.1 霍尔效应 4.2. 光折变晶体材料 由光致空间电荷场通过线性电光效应引起折射率变化的电光材料。 5.1. 本征吸收 本征吸收通常是指带间吸收，即与能带和能带之间的电子跃迁有关的吸收。 5.3 激子吸收 如果在能量为h(的光子作用下，价带的电子受到激发但尚不能进入导带成为自由电子，即仍然受到空穴库仑场的作用，则形成互相束缚的受激电子-空穴对，它对外呈中性。这种彼此束缚的受激电子和空穴组成的系统称为激子。吸收光子形成激子的过程称为激子吸收。 7.1 粒子数反转 要产生激光必须创造一定的条件使受激辐射的原子数大于吸收光子的原子数，或受激辐射光子数大于受激吸收光子数，即实现粒子数反转。 8.2 电极化 将电介质放在电场中，其表面就感应出电荷的现象，称为电极化。 8.3 介质损耗 单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率或简称介质损耗，常用tan(表示。其值越大，能量损耗也越大。 8.4． 铁电性 某些热释电晶体的自发极化可在外加电场的作用下而反向，其自发极化强度与外加电场之间的关系（电滞回线）类似于铁磁体的磁滞回线。 8.5． 压电效应 一些电介质在外力作用下发生形变而引起带电粒子相对位移时，总电矩发生改变 ，在某些表面会出现电荷积累的现象。 二、(每个空1分) (每题1分, 共18分) 4.1信息存储材料大体上可以分为（磁存储材料 ）、(光盘存储材料 )和(光学全息存储材料 )三种。 5.1 半导体光电子材料中发生的光电效应主要有（光电导 ）、（光生伏特效应 ）和 4.2 光盘由(基片 )、(存储介质 )和(保护层 )组成。 5.2 半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量，为了出现光电势，还必须具备一定的附加条件，以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中，必须（存在内建电场 ），在均匀半导体中，必须具备另外一些附加条件，比如（电子和空穴迁移率不同 ）或（存在外加磁场 ）。 5.3 红外探测器材料分为（光子探测器材料 ）和（热探测器材料 ）两大类。 6.2 非线性光学晶体按物理效应可分（频率转换晶体 ）、（电光晶体 ）和（光折变晶体 ）。 7.2 激光器主要由（工作物质(基质和激活离子)）、（光放大器（激发源、泵浦））和（光谐振腔（共振腔）组成。 8.1 介质电极化的机制包括（位移极化）、（松弛极化）、（界面极化）、（谐振式极化）、（自发极化）等 位移极化、松弛极化、界面极化、谐振式极化、自发极化 五取四 三、四、 单项选择题(每题1分) 4.1．磁存储的模式主要有( A )； A ．水平存储模式、垂直存储模式和杂化存储模式 B．水平存储模式、纵向存储模式和杂化存储模式 C，水平存储模式、垂直存储模式和纵向存储模式 4.2．磁存储系统一般都包括( A )； A 存储介质、换能器、传送介质装置以及匹配的电子线路 B．存储介质、传送介质装置以及匹配的电子线路 C．换能器、传送介质装置以及匹配的电子线路 4.3. 光盘是用（ B ）写入信息、读出信息的存储器件； A 可见光 B 激光 C红外光 5.1 （ C ）是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应； A 光电导 B 光生伏特效应 C 光电子发射 5.2 异质结太阳能电池通常（B ）； A 禁带宽度完全相同的两种材料组成 B 由禁带宽度不同的两种材料组成 C由一种材料构成 6.1 下面不是非线性光学现象的是（C ）； A 光混频与光参量振荡 B 晶体的光折变效应 C 晶体的光电效应 6.2 （ C）可以用于畸变像复原； A 激光变频晶体 B 电光晶