微机原理5：存储器系统.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 4. 存储芯片的读写控制 芯片-OE与系统的读命令线相连 当芯片被选中、且读命令有效时，存储芯片将开放并驱动数据到总线 芯片-WE与系统的写命令线相连 当芯片被选中、且写命令有效时，允许总线数据写入存储芯片 5.4.2 存储芯片与CPU的配合 存储芯片与CPU总线的连接，还有两个很重要的问题： CPU的总线负载能力 CPU能否带动总线上包括存储器在内的连接器件 存储芯片与CPU总线的时序配合 CPU能否与存储器的存取速度相配合 1. 总线驱动 CPU的总线驱动能力有限 单向传送的地址和控制总线，可采用三态锁存器和三态单向驱动器等来加以锁存和驱动 双向传送的数据总线，可以采用三态双向驱动器来加以驱动 2. 时序配合 分析存储器的存取速度是否满足CPU总线时序的要求 如果不能满足： 考虑更换芯片 在总线周期中申请插入等待周期TW 5.5 存储器技术的发展 P147 第5章教学要求 了解各类半导体存储器的应用特点； 熟悉半导体存储器芯片的结构； 掌握SRAM 2114、DRAM 4116、EPROM 2764、EEPROM 2817A的引脚功能； 理解SRAM读写原理、DRAM读写和刷新原理、EPROM和EEPROM工作方式 掌握存储芯片与CPU连接的方法，特别是片选端的处理； 了解存储芯片与CPU连接的总线驱动和时序配合问题。 第5章教学要求（续） 习题5（P147）—— 5.2 5.4 5.8 5.10 5.11 5.13 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 5.3.1 EPROM EPROM 芯片顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过、以擦除芯片中保存的信息 使用专门的编程器（烧写器） 对EPROM芯片进行编程 编程后，应贴上不透光的封条 出厂时，每个基本存储单元存储的都是信息“1”，编程实际上就是将“0”写入某些基本存储单元 EPROM芯片2716 存储容量为 2K×8 24个引脚： 11 根地址线 A10～A0 8 根数据线 DO7～DO0 片选/编程 -CE/PGM 读写 -OE 编程电压 VPP VDD A8 A9 VPP -OE A10 -CE/PGM DO7 DO6 DO5 DO4 DO3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DO0 DO1 DO2 Vss EPROM 2716的功能 工作方式 -CE/PGM -OE VCC VPP DO7～DO0 待用 1 × ＋5V ＋5V 高阻 读出 0 0 ＋5V ＋5V 输出 读出禁止 0 1 ＋5V ＋5V 高阻 编程写入 正脉冲 1 ＋5V ＋25V 输入 编程校验 0 0 ＋5V ＋25V 输出 编程禁止 0 1 ＋5V ＋25V 高阻 EPROM芯片2764 存储容量为 8K×8 28个引脚： 13 根地址线 A12～A0 8 根数据线 D7～D0 片选 -CE 编程 -PGM 读写 -OE 编程电压 VPP Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND Vcc -PGM NC A8 A9 A11 -OE A10 -CE D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 EPROM 2764的功能 工作方式 -CE -OE -PGM A9 VPP DO7～DO0 读出 0 0 1 × ＋5V 输出 读出禁止 0 1 1 × ＋5V 高阻 待用 1 × × × ＋5V 高阻 Intel标识 0 0 ＋12V 1 ＋5V 输出编码 标准编程 0 1 负脉冲 × ＋25V 输入 Intel编程 0 1 负脉冲 × ＋25V 输入 编程校验 0 0 1 × ＋25V 输出 编程禁止 1 × × × ＋25V 高阻 5.4 半导体存储器与CPU的连接 半导体存储器与CPU的连接是本章的重点 SRAM、EPROM等存储器芯片与CPU的连接 其译码方法同样适合I/O端口 5.4.1 存储芯片与CPU的连接 存储芯片数据线的处理 存储芯片地址线的处理 存储芯片片选端的处理 存储芯片读写控制线的处理 1. 存储芯片数据线的处理 若芯片的数据线正好 8 根： 一次可从芯片中访问到 8 位数据 全部数据线与系统的