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GTD理论绕射射线上场的基本表达式若给定射线上某点的场强，则射线上任意一点（除焦散线上的点以外）的场强可表示为：式中：称为扩散因子，它表示射线在传播时由于能量扩散而产生的场强振幅的衰减。是任意正规曲面的两个主曲率半径，对球面波，；对柱面波波面的一个主曲率半径变为无穷大，此时；对平面波和都为无穷大，。 设有一条边缘绕射线从源点S经过物体边缘上的绕射点Q到达场点P，则Q点的绕射过程可以用下式表示：式中是Q点的入射场；D是并矢绕射系数，是Q点的激励系数。绕射射线在离开绕射点后仍服从几何光学定律，因此场点P的绕射场可表示为：式中是说明能量沿绕射线扩散的因子，则是表示绕射场沿绕射线的相位变化的因子，是沿绕射线从Q到P的距离。2. 绕射系数表达式平面波斜入射到无限大导电直劈时的绕射系数为：式中：下标分别表示电极化和磁极化的情形与劈角有关，劈角为表示入射波与劈边的夹角，也是绕射线所在锥面的半锥角为波数，即波长越长，绕射场越强和分别表示入射射线和绕射射线上的点在以劈边为z轴的柱坐标系下的坐标，取一个劈面为。这一绕射系数适用于过渡区外的远区，虽然是在平面波斜入射的条件下导出的，由于式中不含与入射波形式有关的因子，所以它也适用于入射波为球面波、柱面波和锥面波的情况。对直劈绕射，远场时的扩散因子近似为，即在不靠近边界的远区，直劈的绕射场好像是由位于劈边上的线源所产生的柱面波。绕射系数与劈角的关系由于劈角为，当时，绕射场等于零，这时场的精确解完全由几何光学场给出，绕射场等于零时的值为：越小，劈内角越大，绕射场的零值出现的也越多。例如（全平面）和（270°外劈）的情况是众所周知的，它们的总场可源场和镜像源场之和求得。根据实际情况，对劈绕射解的讨论将限于的范围，即半平面的情形，此时绕射系数为：绕射系数与关系表示入射波与劈边的夹角，一般为，，因此越小，绕射场越强。绕射系数与关系表示入射射线的方位角，考虑半平面的情形，当时，相当于入射波贴着劈面入射，此时绕射系数为：即对电极化入射平面波绕射场为零。绕射系数与影界关系当时，，，此时称为入射影界。当或时，，，此时称为反射影界。影界上的绕射系数是无法计算的，可以认为在这些区域内的场完全是由几何光学场决定的。同时当绕射射线趋近于影界时，绕射场也会趋向于最强。 曲面反射假设曲面反射如图3所示，为反射点处切平面的单位法向量，入射波和反射波的传播方向单位矢量为和，则入射场和反射场可以表示为：利用反射点处的电场切向分量为零的边界条件，可以得到反射场为：其中表示反射点处的反射场；表示反射点处的入射场；表示并矢反射系数，可写为矩阵形式：这说明几何光学下的曲面反射是一种局部现象，基本取决于反射点附近的几何形状，因此可以在反射点附近作以下假设：反射面可以用处的切平面近似入射波的波前假设为平面反射场可以写为： 其中为反射点处反射波面的两个主曲率半径。其由入射波的主曲率半径和反射点的曲率决定，可以表示为：其中表示入射波前的两个主曲率半径（球面波前，柱面波前或，平面波前）