上华工艺设计规则关键数据.doc

上华工艺0.5um CMOS Twin well double poly double metal 5V/18V embedded high voltage technology. be digitized on 0.05 micron grid. 以下数据为低压器件数据，单位为微米。 N阱（TB）： 1. 最小宽度2.5； 2. 不同电势N阱最小间距4.0； 3. 相同电势N阱最小间距1.25（或0）。 有源区（TO）： 1. 最小宽度0.6 ； 2. 同类型（或不同类型）有源区最小间距0.9（或1.0）； 3. N阱与N阱里的（用于N阱接触的）N+有源区的最小包围0.3； 4. N阱与N阱外的N+有源区的最小间距1.5； 5. N阱与N阱里的P+有源区的最小包围2.4； 6. N阱与N阱外的（用于P阱接触的）P+有源区的最小间距0.3； 7. N阱里的P+有源区与P阱里的N+有源区的最小间距3.9； 多晶硅1（GT） 1. （用于MOS管的沟道长度）最小宽度0.6 2. （用于互连）最小宽度0.5； 3. 最小间距0.6； 4. 作为栅极的多晶硅的最小延伸0.5；； 5. 与栅极多晶硅相关的有源区的最小延伸0.6； 6. 作为电容下极板的多晶硅与有源区的最小间距0.65。 7. 位于场氧区的多晶硅与有源区的最小间距0.25； N注入（SN） 1. N注入与有源区的最小包围0.3； 2. 最小宽度0.8； 3. 最小间距0.8； 4. N注入与有源区的最小间距0.6； 5. N注入与多晶硅栅极的最小间距0.6； P注入（SP） 1. P注入与有源区的最小包围0.3； 2. 最小宽度0.8； 3. 最小间距0.8； 4. P注入与有源区的最小间距0.6； 5. P注入与多晶硅栅极的最小间距0.6； 高阻（IM） 1. 最小宽度10； 2. 最小间距1； 3. 高阻对多晶硅2的最小包围4； 4. 高阻与多晶硅2的接触孔的最小间距0.6； 5. 高阻与（低阻）多晶硅2电容的最小间距0.8； 6. 高阻与有源区的最小间距2.0； 多晶硅2（PC） 1. （用于电容）最小宽度1.9； 2. （用于电容）最小间距0.9； 3. （用于电容）在多晶硅2下的多晶硅1的最小延伸1.4； 4. （用于电容）多晶硅2与接触孔的最小包围0.7； 5. （用于电容）多晶硅2 与位于多晶硅1上的接触孔的最小间距1.5； 6. （用于电阻）最小宽度2.0； 7. （用于电阻）最小间距2.0； 8. （用于电阻）多晶硅2与有源区的最小间距2.0； 9. （用于电阻）多晶硅2与多晶硅1的最小间距2.0； 10. （用于电阻）多晶硅2与接触孔的最小包围0.4； 接触孔1（W1） 1. 接触孔与有源区内的多晶硅1（栅极） 的最小间距0.4 2. 位于场区的多晶硅1上的接触孔（通常为栅电极引出）与有源区的最小间距0.5； 3. 有源区对接触孔的最小包围0.35；（自动满足） 4. 多晶硅1对接触孔的最小包围0.35；（自动满足） 5. N+（P+）对接触孔的最小包围0.35； 6. （用于阱接触）N+（P+）对接触孔的最小包围0.35； 7. 禁止在（有源区内的）栅极上布置接触孔； 8. 最大和最小宽度0.5；（自动满足） 9. 最小间距0.5； 金属1（A1） 1. 最小宽度0.6； 2. 最小间距0.6； 3. （若金属线宽大于10um）最小间距1.0； 4. 金属1对接触孔的最小包围0.3； 5. 金属1的布线密度30%~50%； 6. 金属1的电流密度0.8mA/um; 金属2（A2） 1. 金属2对过孔的最小包围0.3； 2. 最小宽度0.7； 3. 最小间距0.7； 4. （若金属线宽大于10um）最小间距1.0； 5. （若金属线宽大于10um）金属2对过孔的最小包围0.8； 6. 金属2的布线密度30%~50%； 7. 金属1的电流密度0.8mA/um; 过孔（W2）金属1与金属2的接触孔 1. 最小宽度0.6； 2. 最小间距0.6； 3. 金属对过孔的最小包围：0.3（金属线宽 10um） 0.5（金属线宽 10um）