STC单片机输入DIP1.7干接点反馈信号F1P3.2脉冲K.ppt

* STC单片机： 输入：DI P1.7：干接点反馈信号F1 P3.2：脉冲K信号 输出：DO P1.4： Relay_contr， P3.5： MOS_contr Relay_contr T1 T 延时10ms 10,000ms T2 10-T2 MOS算法： 1、测量T11，修正T2； 2、 输出时序： 1、输入信号K ：降沿有效的输入信号，T ≈ 20ms;T1=16ms±2ms 2、Relay_contr关断：在延时10s左右，同样等K↓ 再延时10ms关断 3、Relay_contr关断后，下一个或数个K后，在K↓可以启动MOS_contr; 4、T2通过测量T1的宽度查表或计算得出（线性变化）， MOS_contr的周期10ms，要求与K↓滞后T2/2ms;输出8个T2后，改为T3，T3为固定值：T3≈ 1--2ms；直至K消失， MOS_contr停止； 5、 MOS_contr可以这样理解：以K↓为同步信号的倍频移相脉冲，移相(0.5*T2)ms, T3 T11 T2 0.5*T2 T11 ≈20ms 0.5T3 T3 K是下降沿有效的输入信号，周期20ms左右，T11=4ms±2ms； 时序： K↓-----输出0.5T2，延时（10-T2）ms，输出T2；延时（10-T2）ms，输出0.5T2；上述过程循环4次，用T3替换T2，循环直至K=0，T3=1---2ms（上图中， K↓ 应在T2或T3的中间位置）； MOS_contr可以这样理解：与K↓同步的倍频移相脉冲，移相(0.5*T2)ms。 MOS-Contr K 10-T2 T2的调整算法： 1、自学习测定初始T2 程序并不预存T2，如果程序发现没有T2，则跳过Rely_contr部分，直接以5s的间隔输出T2（没有T3输出），循环多次；每一次的正常MOS_contr驱动输出期间，都会导致干接点F1闭合一次，测量MOS_contr到F1闭合的时间T4，要求T4=23.3ms，T4基本随T2正向线性变化，通过调整T2，使得T4=23.3ms；累加20个T4=23.3ms时对应的T2（如果T2偏差过大，则作为坏数，放弃），计算T2的算术平均值，并保存，结束自学习程序；T2要求掉电保存； 2、正常运行时，同样测量T4，根据最近8次的T2值，去掉2个极值，取6个T2的算术平均值作为下一次动作的T2值，并以此更新掉电保存区中的T2；断电时，只保存最近一次的T2，再次供电后，8个T2堆栈赋同一个值； 3、 K脉宽T1对T2的影响： 上述情况是在T1=16ms的条件下的算法，如果实际测得的T1不等于16ms，则按照固定的比例或查表修正T2作为此次输出的值，更新堆栈采用修正前的T2；T2为8bit； *