cmos射频功率放大器综述.ppt

单级功率放大器设计 单级功率放大器的结构 单级功率放大器是放大器的最基本组成单元，研究单级放大器的设计方法，是设计其他类型功率放大器的基础。一个完整的单级功率放大器除了功率器件以外，还包括输入匹配电路，输出匹配电路，稳定电路，偏置电路，隔直电路。 射频功率放大器指标性能 射频功率放大器指标性能 功率放大器的线性化技术 目前己经提出并得到广泛应用的功率放大器线性化技术包括，功率回退，负反馈，前馈，预失真，包络消除与恢复(EER)，利用非线性元件进行线性放大(LINC) 。较复杂的线性化技术，如前馈，预失真，包络消除与恢复，使用非线性元件进行线性放大，它们对放大器线性度的改善效果比较好。而实现比较容易的线性化技术，比如功率回退，负反馈，这几个技术对线性度的改善就比较有限。 功率放大器的线性化技术比较 Lange耦合器版图 由集总参数元件等效的Wilkinson型功分器 Wilkinson功分器版图 三、总结和展望 国外在射频领域起步较早，技术上的优势明显，一些世界知名的企业己经成为了行业内的佼佼者，例如:半导体行业的freescale, TI, ADI, ST等;在射频测试测量行业内的安捷伦公司、美国国家仪器NI等;在整机功率放大器行业的美国AR公司等。 国内的射频研究起步较晚，无论是在理论研究，器件工艺和系统整体方面都处在相对初级阶段，由于受到军工产品禁运限制，很多高功率、高频率、高效率的射频功率放大器禁止出口中国。 功率放大器在航天科技、卫星通信、军用通信等方面的作用巨大，只有掌握射频电路设计核心技术，提高半导体设计工艺，才是突破国外厂商技术封锁的唯一途径。 我国对于高精密设备的设计和生产越来越重视，国家也提出了针对核心电子器件等领域的“核高基”计划，国内对于射频技术的研究也在不断进步，一些学者的研究成果在国际会议和期刊上取得了较为瞩目的成果。 目前我国在民用商用射频功率放大器和射频接收机的整机设计能力己经有了质的提高，这也是我国技术实力和综合国际不断提高的重要标志，相信在将来，我国在射频领域科技发展水平会得到不断的提高。 参考文献 [1] 王志华，吴恩德，“CMOS射频集成电路的现状与进展”，电子学报，2001. [2] Timothy C. Kuo and Bruce B. Lusignan, “A 1.5W Class-F RF Power Amplifier in 0.2μm CMOS Technology”, in IEEE International Solid-State Circuits Conference, 2001. [3] Alireza Shirvani, David K. Su and Bruce A. Wooley, “A CMOS RF Power Amplifier with Parallel Amplification for Efficient Power Control”, in IEEE International Solid-State Circuits Conference, 2001. [4] Mona M. Hella and Mohammed Ismail, “A Digitally Controlled CMOS RF Power Amplifier”, in IEEE Midwest Symposium on Circuits Systems, 2001. [5] Y. Kim, C. Park, H. Kim and S. Hong, “CMOS RF power amplifier with reconfigurable transformer”, in ELECTRONICS LETTERS, March 2006. 参考文献 [6] Patrick Reynaert and Michiel Steyaert, “A Fully Integrated CMOS RF Power Amplifier with Parallel Power Combining and Power Control”, in IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, 2005. [7] N. Srirattana, P. Sen, H.-M. Park, C.-H. Lee, P. E. Allen, and J. Laskar, “Linear RF CMOS Power Amplifier with Improved Efficiency and Linearity in Wide Power Levels”, in IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Sympos