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市场概况 2014年-2019年UV LED市场规模年均复合增长率为 【42%】 预计2019年市场规模 【超过5亿美元】 【uv固化】仍是市场 主要驱动力 【消毒净化】将带动市场 的第二波快速增长 2014-2019年UV LED（芯片和封装）市场规模（单位：百万美元） 运营模式 以目前所具有的【高温氮化物MOCVD】的研发及生产技术、 【深紫外LED外延芯片】的加工工艺为基础， 进行深紫外 UV LED【外延 芯片】的产业化生产， 以【280nm】以下波长的【深紫外LED芯片】为主要产品方向进行生产销售。 通过不断【提高产量】和【降低市场售价】逐步打开 深紫外LED消毒、净化市场。 运营模式 我们的客户：LED封装企业 2015年，封装环节产值615亿元，同比增长19%，竞争加剧，器件产品价格下跌 数据来源： 《2015年LED行业季度报告》 CSA Research 2012-2015年LED封装板块营业利润率状况 封装企业【营业利润逐年下跌】，亟需寻找 新的销售增长点，纷纷布局深紫外领域 现阶段【无法获得】深紫外LED芯片。 中科优唯已和国内几大封装企业展开战略合 作 ，我们的产品实现批量生产时，他们 将大批量采购。 运营模式 我们的客户：白家电、空气净化、水净化等终端产品市场 公司战略投资人——山东晶泰星公司是专业从事LED照明光源模组及其产品研发、生产、销售、服务为一体的高新技术企业。 和国内白家电企业有很好的合作，我们可以通过此渠道，联合合作的封装企业，通过OEM的方式进行模组销售，进入白家电等终端产品市场。 晶泰星董事长，前TCL集团COO，白家电行业的营销教父——袁信成 竞争分析 深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身 Veeco-MOCVD 国内首台高温 UV单片机 半导体所是我国最早研制、引进MOCVD的科研单位之一，现有多台自主研制和引进的设备，为研发自主设备奠定了基础。 我国首台深紫外MOCVD设备设计和制造单位：实现国内首个300nm以内毫瓦级深紫外LED。 竞争分析 深厚的技术储备——集装备技术与深紫外工艺技术为一身 拥有完整的紫外LED的核心材料和结构外延技术和工艺 使用自制的装置生长出了5mW的紫外LED管芯，其性能指标在国内第一， 在国际上至少在前五的水平。 竞争分析 国际上无商用高铝组分氮化物MOCVD装备。 德国AIXTRON—— 是目前全球规模最大和市场占有率最高的MOCVD设备供应商，市场占有率大约在60%左右，目前该公司拥有一款高温MOCVD产品，但只是单片机，可用于实验室的研究使用，而且性能不够稳定。 美国VEECO公司—— 目前没有高温氮化物MOCVD产品。 其它国外公司—— 主要包括日亚公司和丰田合成的设备，其GaN-MOCVD?设备不在市场上销售，仅供自用。 国内自制MOCVD：只能生长1片2英寸外延片，且均匀性不好，稳定性差。 竞争分析 公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展 预反应： 紫外外延主要难度是高Al组分的AlGaN（或者AlN）的外延，控制预反应是一大难题 主要技术难点 合作开发出新型加热材料 合作开发出耐高温绝缘材料 自行设计的凸凹式多层热屏蔽技术 象限隔离式喷气口进气技术 高速气帘隔离技术 低热辐射，高温度梯度技术 高温：超过1400oC的高温，炉丝式加热难以达到对热屏蔽、电绝缘、热梯度控制技术带来挑战 技术途径 竞争分析 公司高温深紫外MOCVD装备研发已取得突破性进展 目前，公司已研发出的专门用于深紫外LED的7片机和48片机型： 生长温度高达1400℃以上，加热丝具有很好的寿命； 生长压力30torr到常压连续可调； 顶盘实现水冷喷淋式均匀进气，均匀性优于1%， 有限元仿真模拟热场、流场满足客户需求 自主研制的7 片2 英寸高温GaN 外延MOCVD 设备 7片2英寸GaN外延 MOCVD生长室 自主研制的48片机 48片机反应室 竞争分析 美国：SET公司， 日本：日机装，旭化成，德山 国内：青岛杰生、几个行业龙头企业也在涉足深紫外领域 目前国内外深紫外LED产品并不多，均处于起步阶段。 高产能、高效率、自行研制的多片MOCVD设备，有着明显的成本优势 中科优唯的优势 预计初期成本至少可以降低50%--70%，未来降低90% 具有自主深紫外LED外延材料工艺，使得产品具有更好的性能 未来规划及财务预测 2016年下半年：洁净厂房和配套到位； 2017年上半年：外延设备到位、工艺调试 同期：进行器件工艺设备的调研和采购，17年中到位 建设规划： 生产规划： 2017年上半年：外延片开始生产