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复习、作业、预习 复习 第8章 半导体器件§8.1~§8.4节 作业（p233～236） 8.2.2，8.2.6，8.2.8，8.2.9，8.3.2，8.4.1，8.5.2 预习 第8章 半导体器件§8.5~§8.8节 分析与思考 p205（1）;p213（2）,（3）;p215（1）,（3）;p223（2）,（3） 第八章 半导体器件 Begin 第8章 半导体器件 §8.1 半导体的基本知识(Basic episteme to Semiconductor) §8.2 半导体二极管(Semiconductor diode) §8.3 特殊二极管 稳压管(Zener diodes)光电器件(Photodevice) §8.4 半导体三极管(Semiconductor transistor) §8.5 场效应晶体管(Field－effect transistor) §8.6 集成电路 (Integrated circuit ) §8.7 晶闸管 (thyristor) 本章讨论的问题 为什么采用半导体材料制作电子器件？ 空穴是一种载流子吗？导电时电子运动吗？ 什么是N型半导体，什么是P型半导体？两种半导体制作在一起时会产生什么现象？ PN结上所加的端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向导电性？对PN结加反向电压时果真没有电流吗？ 晶体管是通过何种方式来控制集电极电流的？ §8.1 半导体的基本知识 四. PN结(PN junction） §8.3 特殊二极管 §8.4 半导体三极管(Transistor) 各电极电流关系及电流放大作用 各电极电流关系及电流放大作用 NMOS 场效应管转移特性 增强型NMOS场效应管转移特性 耗尽型NMOS场效应管转移特性 跨导gm 第八章 半导体器件 END 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,，称为截止区。 四、三极管的主要参数（Primary parameter） 1.电流放大系数? 常用的?值约20~100。 2.集--射极穿透电流ICEO ?A ICEO ICEO 受温度影响大，越小越好。 集电极电流：IC= ?IB+ICEO 3.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升，会导致三极管的?值下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流为ICM。 4.集--射极反向击穿电压U（BR）CE0 温度25?C、基极开路时的击穿电压U（BR）CE0 。 Primary parameter 5.集电极最大允许功耗PCM PC = IC UCE 集电极电流IC流过三极管，导致结温上升，所以对PC有所限制： PC ? PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BRCE) 6.特征频率fT 三极管起放大作用的极限频率. 安全 工作区 Primary parameter 图8.4.8 功耗曲线 Primary parameter ICM 、U（BR）CE0、PCM 是使用三极管的极限参数。 以上参数中： ?、ICBO 、 ICEO 是三极管质量优劣的主要指标。 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 –(2~2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 复合三极管（darlington) ic1 = ?1 ib ib2 = ie1=(1+?1) ib ic2=??2 ib2 ic = ic1 + ic2 = [ ?1 + ?2 ( 1 +??1 ) ] ib ~ ~ ?1 ?2 ib C B E T1 T2 ib ic 复合NPN管 ib ic C B E (补充内容) C B E T1 T2 ib ic 复合管: 类型同第一支晶体管; ?? ? ?1 ?2 。 复合PNP管 ib ic C B E 复合三极管（darlington) (补充内容) *§8.5 场效应晶体管(Field effect transistor) 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 MOS绝缘栅场效应管（N沟道）