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_类单晶硅片太阳电池扩散工艺的优化研究 半导体光电2011年6 月第32卷第3期 杨 超等: II类单晶硅片太阳电池扩散工艺的优化研究 材料、结构及工艺 II类单晶硅片太阳电池扩散工艺的优化研究 1 1 2 2 1 1 杨 超, 沈鸿烈, 吴京波, 李 琼, 李斌斌, 冯晓梅 (1.南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京210016; 2. 南京沙宁申光伏有限公司, 南京211300) 摘 要: 为了得到优化的扩散工艺,通过改变扩散时间来改变类单晶硅片电池发射区的掺 杂浓 和结深,研究了扩散时间对太阳电池性能的影响。通过太阳电池单片测试仪(XJCM- 9)测 试电池性能。得到了实验条件下优化的扩散工艺,此工艺既考虑了短路电流,又兼顾到开路电压。 最优扩散工艺参数为:扩散温 850 ,主扩时间和再分布时间分别为40 min和15min。此时电 2 池的开路电压、短路电流密 、填充因子和转换效率分别为657mV、33.57mA/cm 、74.36%和16. 4%。优化扩散工艺制备的电池效率较原扩散工艺电池提高了约0.3%。 关键词: 太阳电池; 扩散; 开路电压; 短路电流; 填充因子; 转换效率 中图分类号: O734 文献标识码: A 文章编号: 1001- 5868(2011)03- 0369- 06 StudyonTheOptimumDiffusionProcessof onocrystalline SiliconSolarCellsBasedonType-IISiliconWafers 1 1 2 2 1 1 ANG Chao , SHEN Honglie , WU Jingbo , LI Qiong , LI Binbin , FENG Xiaomei (1.Collegeof aterialsScienceandTechnology, NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics, Nanjing210016, CHN; 2. NanjingShiningsunTechnologyDevelopmentCo., Ltd, Nanjing211300, CHN) Abstract: To obtain theoptimum diffusion process, thedoping concentration andjunction depth of solar cells based on type- II silicon wafers was changed by using diffusion time. The influenceofdiffusion timeontheperformanceof solar cells was investigated. Theperformanceof solar cells was measured by solar cell tester (XJCM- 9). Theoptimum diffusion process under theexperimental condition was obtained. This diffusion process takes both short circuit current and open circuit voltageinto account. Theoptimum parametersofthediffusion process a