ZAO薄膜的研现状及发展趋势.docVIP

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ZAO薄膜的研究现状及发展趋势 2010年01月16日 星期六 17:33 1 引言 在人类社会的科学实验活动中,功能材料总是起着重要的作用,尤其是第二次世界大战以后,材料科 学的发展达到了一个高潮,伴随着半导体、计算机、太阳能等产业的发展,相关的一种功能材料——透明 导电氧化物薄膜随之产生、发展起来。这种属于半导体光电子材料的薄膜表现出异于一般材料的特异性 能 透射、导电 ,在压电换能器、光电显示器、太阳能电池、气敏传感器及光波导等方面具有广阔的应用前 景,能满足人类在信息时代特定条件下和不同目的的特殊需求。 目前市场上,使用的是透明导电氧化物薄膜In2 :sn f1D ,其技术是成熟的,但由于In、sn等材料 有自然储量少、制备工艺复杂、成本高、有毒、稳定性差等缺点,从而限制了在实践中的广泛使用,因此,急 需一种替代产品问世,以满足人们的需要。ZnO:A1 ZAO 薄膜是迄今为止最佳的ITO膜替代品。二者 相比而言,zAO薄膜不仅具有与ITO可比拟的电学和光学特性,而且有储量丰富、易于制造、成本较低、 无毒、热稳定性好等优点,因而,从2O世纪7O年代末开始,人们对ZnO薄膜及掺杂体系的研究 趣日益 浓厚,近年来更成为研究透明导电氧化物薄膜的热点,而ZAO薄膜是ZnO掺杂体系中最具代表性的。 2 ZAO薄膜的性质 透明导电氧化物薄膜有I o3、SnO2、和ZnO三大体系,其性能对比见表1。ZAO薄膜是ZnO体系 中掺杂元素A1而得来的。ZnO薄膜具有C轴择优生长的众多晶粒,每个晶粒都是呈生长良好的六角形 铅锌矿结构。ZnO晶体是氧的六角密堆积和锌的六角密堆积反向嵌套而成的。这种结构的薄膜具有透明导电性,但电阻值高于l0 n·QTI。ZnO晶体中每一个锌原子都位于四个相邻的氧原子所形成的四面 体间隙中,但只占据其中半数的氧四面体间隙,氧原子的排列情况与锌原子相同。单位晶格中含有2个 分子.体积为0.047 651 tun3。因而这种结构比较开放,半径较小的组成原子容易变成间隙原子,Al的离 子半径为0.039 m ,比锌的离子半径 0.060 nm 4~,A1原子容易成为替位原子而占据zn原子的位置, 也容易成为间隙原子而存在。在ZnO中掺杂 之后,可以形成ZAO薄膜,导电性能大幅度提高,电阻率 可降低到10 n·crn。 掺杂后,不仅可以降低电阻率,而且能提高薄膜的稳定性。Minarni等_1 J制备的 ZAO薄膜,可见光透射率达90%,电阻率已降至l0I4 n·ClTI。这种性能完全可以与ITO薄膜相媲美。 3 ZAO薄膜的应用前景 看一种产品的应用前景如何,主要从三个方面分析:一是原材料是否丰富,价格是否低廉;二是生产 制造是否容易,在生产过程中有无环境污染;三是产品性能是否合乎要求,特别是稳定性要好。根据这三 方面的要求,可将目前广泛应用的透明导电膜ITO膜,与ZAO薄膜作以对比分析,从中展现出的ZAO薄 膜具有广泛的应用前景。 1 ITO薄膜的主要成分In、Sn自然资源少,特别是In在地层中的储量更少,使得ITO薄膜的生产 成本很高;相比而言.组成ZAO薄膜的主体zn、A1在自然界中的储量丰富,生产成本低,具有价格优势。 2 In、sn材料的化学性质比较活泼.制造过程中工艺条件不易控制.技术难度大,另外In、sn的原 子量较大,成膜过程中容易渗^衬底材料内部,毒化衬底材料,尤其在液晶显示器中污染现象严重;在这 方面,ZAO薄膜具有ITO薄膜无法相比的优越性,无毒、稳定性高、制备技术简单、易于实现掺杂等是 ZAO薄膜能够被广泛应用的主要原因。 3 在光、电特性方面,ZAO薄膜的性能可满足当今商用ITO薄膜的一切指标。 从分析对比可见,ZAO薄膜应该能取代ITO薄膜,何况目前ZAO已经在某些领域获得应用。 1 液晶显示器。透明导电薄膜是平板显示的基础材料,主要用于液晶显示器。通常对液晶显示器 的要求为100~500n/口,电阻率应低于2 0×10I4n·CITI,目前ZAO薄膜的电学性能完全能达到这个要 求.并且不污染液晶显示器。此外,在场致发光显示器 EL 、等离子显示 PD 、有机薄膜显示 OLD 、电 致荧光显示 E D 等平板显示领域里.低电阻率和高透射率的ZAO薄膜将会在底电极部件的制备中被 大量采用。 2 热镜。用于热镜的透明导电膜,主要是利用其在可见光区的高透射性和对红外光的高反射性,制 成寒冷环境下的视窗或太阳能收集器的观测窗,使能量保持在一封闭的空间里以起到热屏蔽的作用。还 可以大量节约能源,可以说ZAO薄膜是制造热镜的最佳材料。另外,还能用作汽车、火车、航天器等的视 窗玻璃以及陈列窗的制造,其作用不仅可以隔热节能,而且薄膜通电后,还可以收到防雾除霜的效果。 3 太阳能电池。在太阳能电池上.

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