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/zhuanti/NOR-Flash/#C972I3354 NOR Flash简介 NOR FLASH是INTEL在1988年推出的一款商业性闪存芯片,它需要很长的时间进行抹写,大半生它能够提供完整的寻址与数据总线,并允许随机存取存储器上的任何区域,而且它可以忍受一万次到一百万次抹写循环,是早期的可移除式闪存储媒体的基础. NOR Flash的原理 从物理层面解释,NOR闸闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET,除了晶体管有两个而不是一个闸极.在顶部的是控制闸(CONTROL Gate,CG),它的徐阿奴阿布是土匪以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(Floathing Gate,FG).由于这个FG在电气程度上是出于绝缘层独立的,所以湖边人员的毒啊班组会被困在里面,在一般的条件下,电荷经过很长时间都不会产生逃逸的情况.将FG放在CG与MOSFET通道之间.当FG抓到电荷时,它部分屏蔽掉来自CG的电场,并改变这个单元的阀电压(VT).在读出期间.利用向CG的电压,MOSFET通道会变的导电或保持绝缘.这视乎该单元的VT而定(而该单元的VT受到FG上的电荷控制).这股电流流过MOSFET通道,并以二进制码的方式读出、再现存储的数据.在每单元存储1位以上的数据的MLC设备中,为了能够更精确的测定FG中的电荷位准,则是以感应电流的量(而非单纯的有或无)达成的. 逻辑上,单层NOR FLASH单元在默认状态代表二进制码中的1值,因为在以特定的电压值控制闸极时,电流会流经通道.经由以下流程,NOR FLASH 单元可以被设置为二进制码中的0值. 1. 对CG施加高电压(通常大于5V). 2. 现在通道是开的,所以电子可以从源极流入汲极(想像它是NMOS晶体管). 3. 源-汲电流够高了,足以导致某些高能电子越过绝缘层,并进入绝缘层上的FG,这种过程称为热电子注入. 由于汲极与CG间有一个大的、相反的极性电压,借由量子穿隧效应可以将电子拉出FG,所以能够地用这个特性抹除NOR FLASH单元(将其重设为1状态).现代的NOR FLASH芯片被分为若干抹除片段(常称为区扇(Blocks or sectors)),抹除操作只能以这些区块为基础进行;所有区块内的记忆单元都会被一起抹除.不过一般而言,写入NOR FLASH单元的动作却可以单一字节的方式进行. 虽然抹写都需要高电压才能进行,不过实际上现今所有闪存芯片是借由芯片内的电荷帮浦产生足够的电压,所以只需要一个单一的电压供应即可. NOR Flash的访问方式 在NOR FLASH的读取数据的方式来看,它与RAM的方式是相近的,只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的挥出数据.考虑到以上的种种原因,多数微处理器将NOR FLASH当做原地运行(Execute in place,XIP)存储器使用,这其实以为着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行.由于NOR FLASH没有本地坏区管理,所以一旦存储区块发生毁损,软件或驱动程序必须接手这个问题,否则可能会导致设备发生异常. 在解锁、抹除或写入NOR FLASH区块时,特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的第一页(Page).接着快闪记忆芯片会提供可用的指令清单给实体驱动程序,而这些指令是由一般性闪存接口(Common FLASH memory Interface, CFI)所界定的. 与用于随机存取的ROM不同,NOR FLASH也可以用在存储设备上;不过与NAND FLASH相比,NOR FLASH的写入速度一般来说会慢很多. NOR Flash 和 NAND Flash 由1988年INTEL公司首先开发出NOR FLASH技术,彻底颠覆了原先EPROM和EEPROM一统天下的局面;紧接1989年东芝公司发表了NAND FLASH结构,强调以成本为主,降低每bit的成本,具有更高的性能,并且能像硬盘一样可以通过接口轻松升级.NOR FLASH和NAND FLASH是目前市面上两种主要的非易失闪存技术.NOR FLASH 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中.NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能.NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快.应用NAND的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口.通常NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些情况. NOR Fla