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PECVD返工工艺
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SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 PECVD返工 工位编号 PECVD 需要人数 第 张共 张 流向 PECVD 1. 目 的:
确保SiN减反膜的厚度和折射率处于受控状态
2. 使用范围:
PECVD之后SiN膜的厚度不均匀或膜厚偏离正常范围的电池片。
内 容:
把需要返工的电池片放入片盒,注意扩散面和非扩散面,不要放反;
在一次清洗7号槽中配置5%的HF酸溶液,;
把返工片放入7号槽溶液中腐蚀10~12min,注意观察表面的蓝色SiN是否消失,如果蓝色薄膜难以去除,可以适当在加一点HF,达到去除蓝色薄膜的目的;
待蓝色消失后,进行漂洗,盐酸清洗,漂洗,喷淋,甩干,其工艺参数同一次清洗的对应工艺;
进行上述工艺之后,可抽测硅片的方块电阻,如在正常范围即可进行PECVD镀膜,工艺同PECVD正常工艺。如果方块偏高,则表明pn结被腐蚀,需重新扩散。 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第1页 拟 制 审 核 共 页 标准化 批 准 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 PECVD 工位编号 PECVD 需要人数 第 张共 张 流向 SWYS 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第2页 拟 制 审 核 共2页 标准化 批 准
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