670第5讲+三极管、场效应管,半导体器件习题详解.ppt

双极型三极管与场效应三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 与 PNP型 绝缘栅 增强型 N沟道 P沟道 分类 C与E一般不可 绝缘栅 耗尽型 N沟道 P沟道 倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，且有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 返回 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种 命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 返回 几种常用场效应三极管的主要参数 返回 六、三极管的h参数微变等效电路 ［h］ 适用于中低频段 晶体管在中低频、小信号作用下等效 1.中低频段:kHz数量级以下 2.小信号：mv级 3.等效：线性化处理 简化的h参数微变等效电路 基区的体电阻 发射结结电阻 P34 可以用公式计算 其中 指基区的区电阻。对低频小功率管约为 ；该式表明， 的大小与Q点(静态工作点)的位置有关，在输入特性曲线上Q点越高， 越大， 越小。 练习: P53 1-13 三极管的输出特性如图所示，试根据特性曲线求出管子的下列参数： * Bipolar Junction Transistor * * Field Effect Transistor * 压控流源，所以是转移特性曲线。电压栅源电压，来控制，漏极电流。 * * * * ID P·JFET的结构及符号 （2）结型场效应管的工作原理 N 沟道 PN结 　　N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电压，栅极与沟道之间的PN结为反偏。 在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。iD的大小受UGS的控制。 P沟道场效应管工作时，极性相反，沟道中的多子为空穴。 返回 当 且 时，耗尽层很窄，导电沟道最宽。 (b)当 增大时，耗尽层加宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 (c)当 增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消失，沟道电阻趋于无穷大，此时 值为夹断电压 UP。 (a) 控制导电沟道的宽窄 总结： ①当 （即 、 短路）时， 控制导电沟道的宽窄。 （2）结型场效应管的工作原理 ①栅源电压VGS对iD的控制作用（演示） 当VGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小； 　　VGS更负，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断， ID≈0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。 返回 ②当 固定时（ ） 若 ，电流 从漏极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等，而是沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边宽，沟道呈楔形。 （a） （b） （c） 总结： 决定耗尽层的楔形程度。 栅漏电压 ，所以当 逐渐增大时， 逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道必将随之变窄。