网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

Hspice仿真工具介绍.docVIP

  1. 1、本文档共3页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
Hspice仿真工具介绍

HSPICE仿真工具的介绍: 一.HSPICE 的特点与结构 HSPICE 除了具备绝大多数SPICE 特性外,还具有许多新的特点,主要有: 1.优越的收敛性 2.精确的模型参数,包括许多Foundry 模型参数 3.层次式节点命名和参考 4.基于模型和库单元的电路优化,逐项或同时进行AC,DC 和瞬态分析中的优化 5.具备蒙特卡罗(Monte Carlo)和最坏情况(worst-case)分析 6.对于参数化单元的输入、出和行为代数化 7.具备较高级逻辑模拟标准库的单元特性描述工具 8.对于PCB、多芯片系统、封装以及IC 技术中连线间的几何损耗加以模拟 二.电源描述语句 HSPICE 中提供了一些供激励用的独立源和受控源。电源描述语句也由代表 电源名称的关键字、连接情况和有关参数值组成。描述电源的关键字含义为: V: 独立电压源 I: 独立电流源 E: 电压控制电压源 F: 电流控制电流源 G: 电压控制电流源 H: 电流控制电压源 基于上面的语句格式,HSPICE 规定有七种独立电源: 1. 直流源 一般形式:VXXX n+ n- DC dcval IXXX n+ n- DC dcval 例 V1 2 0 DC 5v V1 2 0 5v I1 3 0 DC 3mA I2 3 0 3mA 2. 交流源 一般形式:VXXX n+ n- AC acmag, IXXX n+ n- AC acmag, 例:V1 1 0 AC=10V 90 VIN 1 0 AC 10V 90 ISRC 23 21 AC 0.333 45.0 如果在关键字AC 后面省去acmag,就认为该值是1。如果省去acphase,则认为该值为0。 3. 脉冲源 一般形式:PULSE V1 V2 td tr tf pw 或: PU V1 V2 td tr tf pw 其中: V1: 脉冲源开始前的初始值 V2: 脉动值 td: 第一个脉冲开始前的延迟时间,缺省值为0.0 tr: 脉冲上升时间,缺省值为TSTEP tf: 脉冲下降时间,缺省值为TSTEP pw: 脉冲宽度,缺省值为TSTEP per: 脉冲周期,缺省值为TSTEP 4. 正弦源(调幅正弦信号) 一般形式:SIN vo va freq td ? ? 其中: vo: 电压或电流偏移量 va: 电压或电流幅度峰值 freq: 频率,缺省值是1/TSTOP。单位是Hz td: 延迟时间,缺省值是0.0,单位是秒。 三. 半导体器件描述语句 电路中每个半导体器件也和上述的元件一样需用器件语句来描述。每个器件 描述语句的第一字母是代表某种器件的关键字,这一节中所涉及的关键字的含义 为: D:晶体二极管 Q:双极型晶体三极管 J:结型或MES 场效应晶体管 M:MOS 场效应管 1. 晶体二极管 一般形式: DXXX nplus nminus mname AREA val PJ val + WP val LP val WM val LM val + IC vd M val DTEMP val 2. 双极型晶体三极管 一般形式: QXXX nc nb ne mname + IC vbeval,vceval M val DTEMP val 3. 结型场效应管或MESFET 一般形式: JXXX nd ng ns mname AREA|W val L val + IC vdsval,vgsval M val DTEMP val 4. MOS场效应管 一般形式:MXXX nd ng ns mname L val W val + AD val AS val PD val PS val NRD val + NRS val RDC val RSC val + IC vds,vgs,vbs M val DTEMP val GEO val + DELVTO val 四.子电路描述语句(.SUBCKT或.MACRO语句) HSPICE 软件允许用户在程序执行过程中调用由各种HSPICE 元件和器件构成的子电路。子电路的大小或复杂性没有限制,子电路中可嵌套其它子电路。子电路是以 .SUBCKT 或 .MACRO 开头,以 .ENDS 结束的一组语句。一旦定义好,它可看作是以X 关键字开头的器件。 1.子电路定义开始语句 一般形式: .SUBCKT subnam n1 parnam val . . . 或 .MACRO subnam n1 parnam val . . . 其中: subnam 是子电路参考名 n1… 是子电路外部参考节点,它们不能为零

文档评论(0)

peain + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档