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MSP430中flash读写.docVIP

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MSP430中flash读写

MSP430---FLASH 读写 来源:21ic?作者:白沙的香烟盒 关键字:FLASH???MSP???读写 MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFFh开始,每512字节为一段进行分配。 FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。 void flash_clr int *ptr _DINT ; //关中断 FCTL3 0x0A500; //* Lock 0 开锁 FCTL1 0x0A502; //* Erase 1 使能擦除 * int * ptr 0; //* 擦除段 FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。 // 字节写入 void flash_write_int8 int8_t *ptr, int8_t value _DINT ; FCTL3 0x0A500; // Lock 0 开锁 FCTL1 0x0A540; // Write 1使能写入 * int8_t * ptr value; // 写入数据 // 字写入 void flash_write_int16 int16_t *ptr, int16_t value _DINT ; FCTL3 0x0A500; /* Lock 0 */ FCTL1 0x0A540; /* Write 1 */ * int16_t * ptr value; /* Program the flash */ FLASH存储器可以连续写入 // 按字节写入指定的数量的数据 void flash_memcpy char *ptr, char *from, int len _DINT ; FCTL3 0x0A500; /* Lock 0 */ FCTL1 0x0A540; /* Write 1 */ while len *ptr++ *from++; len--; 在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如: typedef struct Setup float gain_ch0; // 0通道增益 float gain_ch1; // 1通道增益 float gain_ch2; // 2通道增益 … char init_flag; //初始化标记,恒为0xAA; SETUP; 我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。 使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如: #define SegmentA 0x1080 float temp; SETUP *p_setup_flash SETUP * SegmentA if p_setup_flash- init_flag 0xAA temp p_setup_flash- gain_ch0; 修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如: SETUP *p_setup; SETUP buf; // 临时变量 p_setup SETUP * SegmentA // 指向FLASH memcpy char * buf, char * p_setup_flash, sizeof SETUP ; // 拷贝到RAM p_setup buf; // 指向RAM p_setup- gain_ch0 1.02; // 修改参数 flash_memcpy char * p_setup_flash, char * buf, sizeof SETUP ; // 拷贝到FLAS

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