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TD—LTE芯片及终端的发展现状与趋势 【摘 要】 阐述了目前国际国内TD-LTE芯片及终端的发展现状，结合移动互联网与消费电子的融合态势，对TD-LTE芯片及终端的技术和市场发展趋势进行了分析，并就TD-LTE知识产权问题的处理提出相关建议。 【关键词】 TD-LTE 芯片 终端 多模多频 知识产权 中图分类号：TN929.53 文献标志码：A 文章编号：1006-1010（2014）-01-0028-05 1 引言 在全球各国家和地区电信监管部门、运营商与设备制造企业的共同推动下，LTE的产业化和商用化发展迅猛[1]。截至2013年12月，全球已部署LTE商用网络251个，143个国家的499个运营商参与投资LTE产业。到2013年底，全球预计有260张LTE网络实现商用[2]。 同时，伴随着无线频谱资源的日益紧缺，TDD技术的优势与价值逐步凸显。目前，全球共有25张商用TD-LTE网络投入建设，中国也已发放TD-LTE运营牌照。而作为至关重要的产业环节，TD-LTE芯片及终端的发展水平将直接决定产业链的商用成熟度。 2 TD-LTE芯片及终端发展现状 2.1 TD-LTE芯片发展现状 目前，全球范围内已有超过20家芯片厂商投入TD-LTE核心芯片的设计与研发。 作为移动通信芯片领域的龙头企业，高通推出支持3GPP R10的LTE-Advanced/LTE FDD/TD-LTE/TD-SCDMA/WCDMA/CDMA 1X/CDMA EV-DO/GSM/GRPS/EDGE多模多频芯片。同时，采用28nm HPm（High Performance mobile，移动高性能）工艺制程的四核SoC系列芯片Snapdragon 800，增加了对Windows RT系统的支持，这一与微软的合作将有利于进一步拓展LTE终端的多样性。 其他技术较领先的国际芯片企业同样也在多模多频、工艺制程等方面不断进行产品更新。其中，Marvell的四核SoC芯片PXA 1088 LTE已兼容TD-LTE/LTE FDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM五种模式；MTK的MT6589芯片制程已达28nm工艺水平，支持GSM/TD-SCDMA/WCDMA三模，并计划于2013年底推出支持LTE五模的28nm芯片；英伟达、博通等芯片公司基于早期的优势业务，也陆续投入多模LTE芯片产业。 同时，国内企业也积极投入TD-LTE芯片的研发和产业化。基于3G阶段在WCDMA领域的积累，海思已推出支持TD-LTE/LTE FDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM的五模40nm芯片，并有望于2013年底将芯片工艺提升至28nm。展讯在TD-SCDMA/GSM双模四核SoC芯片中成功试验28nm工艺，并推出支持WCDMA/GSM的多模modem芯片，2014年第一季度有望推出28nm五模LTE芯片。联芯、中兴微电子推出的40nm TD-LTE/LTE FDD/TD-SCDMA/GSM四模芯片已基本达到商用水平，目前正积极投入工艺水平的提升和WCDMA制式的研发。 2.2 TD-LTE终端发展现状 TD-LTE芯片在多模多频、工艺水平、稳定性等方面的快速提升，为TD-LTE终端特别是手机的发展提供了坚实的基础。截至2013年11月，全球已有华为、中兴、酷派、联想、苹果、三星、索尼等超过50家终端厂商投入到TD-LTE终端产品的研发和生产中，共发布TD-LTE终端274款，其中包括多款数据卡、CPE、MiFi、平板电脑以及智能手机。 目前，TD-LTE手机在通信速率、功耗控制及产品稳定性等关键技术指标上已基本具备商用能力，具体参数如表1所示。 表1 TD-LTE手机关键技术指标 数据平均速率 40Mbps 多小区环境下静止待机时长 72h 手机待机电流 10mA以内，与FDD水平相当 无故障长时间稳定工作时长 200h，与3G手机相当 针对TD-LTE语音解决方案，目前全球产业界普遍选择双待和CSFB（Circuit Switched Fallback，电路域回落）技术作为语音过渡方案。双待方案对现有2G/3G网络无改造要求，可较好地保障用户的业务体验，但在功耗、体积和成本方面对终端的要求较高，并需解决终端双模互干扰问题。CSFB在终端上实现的难度较小，但需对网络进行改造，在回落网络、回落流程及返回机制等方面存在不同的技术方案，网络改造代价及用户体验均与所选取的具体方案有关。 基于以上两种方案的技术缺陷，产业界已基本将VoLTE作为LTE语音业务方案的最终目标。目前，韩国SKT、LG Uplus等已商用VoLTE，NTT DoCoMo、Verizon和Vodafone等均陆续启动VoLTE部署项目，而国内TD-LTE工作组也已就VoLTE的发展规划展开深入研究与